BZX584C4V7_R1_00001 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件封装为 SOD-882,尺寸小巧,适用于便携式设备和高密度 PCB 设计。其标称齐纳电压为 4.7V,在测试电流下具有良好的电压稳定性和较低的动态阻抗。
器件类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:4.7 V(在 Izt = 5 mA 时)
最大齐纳电流:100 mA
最大耗散功率:300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
封装类型:SOD-882
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:2
最大反向漏电流:100 nA(在 Vr = 1 V 时)
最大齐纳阻抗:90 Ω(在 If = 5 mA 时)
BZX584C4V7_R1_00001 齐纳二极管具备一系列优异的电气和物理特性,使其在电压调节和参考电压生成中表现出色。
首先,该器件的标称齐纳电压为 4.7V,能够在 5mA 的测试电流下保持稳定,确保在典型应用条件下提供准确的电压参考。其齐纳电压容差为 ±2%(可根据具体型号调整),这使得它适用于对电压精度要求较高的模拟电路和电源管理系统。
其次,BZX584C4V7_R1_00001 采用 SOD-882 封装,体积非常小,适合用于空间受限的设计,例如移动电话、智能穿戴设备、无线模块等。该封装也具有良好的热性能,能够有效散发功率损耗,确保长时间工作的稳定性。
此外,该齐纳二极管的最大额定功耗为 300mW,最大齐纳电流可达 100mA,适用于中等功率应用。其动态阻抗较低(典型值为 90Ω),有助于减小电压波动,提高系统稳定性。反向漏电流极低(最大 100nA),从而减少静态功耗,适用于电池供电设备。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,具有良好的热稳定性,适用于工业级和汽车电子应用。Nexperia 的制造工艺确保了其高可靠性和一致性,满足 AEC-Q101 汽车电子标准的认证要求。
最后,该齐纳二极管具有良好的长期稳定性,老化效应小,能够在长期使用中维持稳定的电压参考,适用于精密测量仪器、传感器接口电路以及模拟前端设计。
BZX584C4V7_R1_00001 主要用于以下应用场景:
1. 电压参考:为运算放大器、ADC/DAC、传感器等模拟电路提供稳定的 4.7V 基准电压。
2. 电源稳压:在低压差稳压器(LDO)、DC-DC 转换器等电路中作为反馈参考电压使用。
3. 过压保护:在输入端口或电源线上用于限制电压,保护后级电路免受瞬态过压损坏。
4. 电池供电设备:用于便携式设备如智能手表、蓝牙耳机、医疗穿戴设备中的稳压和参考电压生成。
5. 工业控制:在工业传感器、PLC、自动化设备中用于提供稳定的电压基准。
6. 汽车电子:适用于车载电子系统,如仪表盘、车载导航、车身控制模块等,符合汽车级工作温度和可靠性要求。
BZX84C4V7LT1G, BZV55-C4V7, MMSZ4684T1G, 1SMA4735A