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BZX584C4V7_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 6:31:32 查看 阅读:14

BZX584C4V7_R1_00001 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件封装为 SOD-882,尺寸小巧,适用于便携式设备和高密度 PCB 设计。其标称齐纳电压为 4.7V,在测试电流下具有良好的电压稳定性和较低的动态阻抗。

参数

器件类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:4.7 V(在 Izt = 5 mA 时)
  最大齐纳电流:100 mA
  最大耗散功率:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-882
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引脚数:2
  最大反向漏电流:100 nA(在 Vr = 1 V 时)
  最大齐纳阻抗:90 Ω(在 If = 5 mA 时)

特性

BZX584C4V7_R1_00001 齐纳二极管具备一系列优异的电气和物理特性,使其在电压调节和参考电压生成中表现出色。
  首先,该器件的标称齐纳电压为 4.7V,能够在 5mA 的测试电流下保持稳定,确保在典型应用条件下提供准确的电压参考。其齐纳电压容差为 ±2%(可根据具体型号调整),这使得它适用于对电压精度要求较高的模拟电路和电源管理系统。
  其次,BZX584C4V7_R1_00001 采用 SOD-882 封装,体积非常小,适合用于空间受限的设计,例如移动电话、智能穿戴设备、无线模块等。该封装也具有良好的热性能,能够有效散发功率损耗,确保长时间工作的稳定性。
  此外,该齐纳二极管的最大额定功耗为 300mW,最大齐纳电流可达 100mA,适用于中等功率应用。其动态阻抗较低(典型值为 90Ω),有助于减小电压波动,提高系统稳定性。反向漏电流极低(最大 100nA),从而减少静态功耗,适用于电池供电设备。
  该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,具有良好的热稳定性,适用于工业级和汽车电子应用。Nexperia 的制造工艺确保了其高可靠性和一致性,满足 AEC-Q101 汽车电子标准的认证要求。
  最后,该齐纳二极管具有良好的长期稳定性,老化效应小,能够在长期使用中维持稳定的电压参考,适用于精密测量仪器、传感器接口电路以及模拟前端设计。

应用

BZX584C4V7_R1_00001 主要用于以下应用场景:
  1. 电压参考:为运算放大器、ADC/DAC、传感器等模拟电路提供稳定的 4.7V 基准电压。
  2. 电源稳压:在低压差稳压器(LDO)、DC-DC 转换器等电路中作为反馈参考电压使用。
  3. 过压保护:在输入端口或电源线上用于限制电压,保护后级电路免受瞬态过压损坏。
  4. 电池供电设备:用于便携式设备如智能手表、蓝牙耳机、医疗穿戴设备中的稳压和参考电压生成。
  5. 工业控制:在工业传感器、PLC、自动化设备中用于提供稳定的电压基准。
  6. 汽车电子:适用于车载电子系统,如仪表盘、车载导航、车身控制模块等,符合汽车级工作温度和可靠性要求。

替代型号

BZX84C4V7LT1G, BZV55-C4V7, MMSZ4684T1G, 1SMA4735A

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BZX584C4V7_R1_00001参数

  • 现有数量3,966现货
  • 价格1 : ¥1.91000剪切带(CT)5,000 : ¥0.29478卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)4.7 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)80 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏3 μA @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装SOD-523