时间：2025/8/14 10:00:47
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BZX584C3V3_R1_00001 是一款由 NXP Semiconductors 生产的表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），其齐纳电压为 3.3V。该器件主要用于电压调节、参考电压源和过压保护等应用。该齐纳二极管采用 SOD-882 封装，适用于空间受限的便携式电子产品和高密度电路设计。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：3.3V
最大齐纳电流：200mA
最大功率耗散：300mW
封装类型：SOD-882
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流（VR）：100nA（在 1V 时）
BZX584C3V3_R1_00001 齐纳二极管具有多个显著的电气和物理特性，使其在多种电子设计中表现优异。首先，其标称齐纳电压为 3.3V，这使其非常适合用于低压电路中的参考电压源和电压限制保护。该器件的最大齐纳电流为 200mA，支持在有限功率范围内提供稳定的电压调节能力。此外，该齐纳二极管的最大功率耗散为 300mW，确保在小型封装下仍具备较高的功率承受能力。
其采用 SOD-882 封装形式，尺寸小巧，适用于高密度 PCB 设计和空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。该封装形式还具有良好的热管理性能，能够有效散热，提高器件在高负载条件下的稳定性。此外，BZX584C3V3_R1_00001 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明其可在极端温度环境下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等对环境要求较高的领域。
该齐纳二极管的反向漏电流在 1V 反向电压下仅为 100nA，具有较低的漏电流特性，有助于提高电路在低功耗模式下的稳定性。此外，该器件的响应速度快，适用于瞬态电压抑制和电压钳位保护应用，能够在电路中提供可靠的过压保护功能。
该齐纳二极管广泛应用于多种电子设备中，主要包括电压调节电路、参考电压源、过压保护电路、电池管理系统、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）以及汽车电子模块等。在微处理器和逻辑电路中，BZX584C3V3_R1_00001 常用于保护输入/输出引脚免受静电放电（ESD）和瞬态电压的损害。此外，它还可用于模拟电路中的偏置电压设定，以及在电源转换器中提供反馈电压调节功能。在工业自动化和传感器系统中，该器件也常用于稳定传感器供电电压，确保测量精度。由于其小尺寸和优异的热性能，BZX584C3V3_R1_00001 也适用于高频开关电源和低功耗嵌入式系统。
BZX84C3V3, BZV49433, MMSZ4680-3.3
