BZX55C2V0是一款由NXP Semiconductors生产的齐纳二极管(Zener Diode),属于BZX55系列。该系列二极管广泛应用于电压参考和稳压电路中,具有稳定、可靠和成本低的优点。BZX55C2V0的齐纳电压为2.0V,适合用于低电压调节和参考源的设计。
类型:齐纳二极管(Zener Diode)
齐纳电压:2.0V
功率:300mW
电流最大值:200mA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:DO-35(玻璃封装)
极性:单向齐纳二极管
最大耗散功率(Ptot):300 mW
最大齐纳电流(IZM):200 mA
最大反向漏电流(IR):100nA(@ VR=1V)
齐纳电压容差:±5%(默认)
BZX55C2V0齐纳二极管具有多个显著的电气和物理特性,适用于广泛的电子电路设计。首先,它的齐纳电压为2.0V,能够在反向击穿区域保持稳定的电压输出,适用于低电压稳压和参考电路。其次,该器件的最大耗散功率为300mW,能够在一定的负载变化范围内保持稳定的工作状态,避免过热损坏。此外,BZX55C2V0的最大齐纳电流为200mA,这使其在中等功率应用中具备良好的适应性。
在封装方面,BZX55C2V0采用DO-35玻璃封装,这种封装形式不仅具有良好的机械强度,还具备优异的电气绝缘性能,适用于多种PCB布局。其工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端环境条件下保持稳定的性能,适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的场合。
另外,该齐纳二极管的齐纳电压容差为±5%,在大多数应用中可以提供足够的精度。在反向漏电流方面,BZX55C2V0在VR=1V时的最大漏电流仅为100nA,这有助于降低电路的静态功耗,提高系统的能效。因此,BZX55C2V0在低电压调节、参考源、过压保护电路中均有广泛应用。
BZX55C2V0广泛应用于需要稳定2.0V参考电压的电路中。典型应用包括电源稳压电路中的参考电压源、ADC/DAC电路中的基准电压、电池供电设备的低电压监测电路、电压比较器的参考输入以及嵌入式系统中的低功耗稳压电路。此外,它也常用于过压保护电路中,作为电压钳位元件,保护后续电路免受高电压损坏。在工业控制、消费电子、汽车电子和通信设备中,BZX55C2V0均能找到应用场景。
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