BZX55B18是一款常见的齐纳二极管(Zener Diode),属于BZX55系列。齐纳二极管是一种利用反向击穿特性来提供稳定电压的半导体器件,广泛用于电压调节、参考电压源、过压保护等应用中。BZX55B18的标称齐纳电压为18V,在一定的工作电流范围内可以保持稳定的输出电压。该器件采用小功率封装,通常为DO-35或类似的小型轴向引线封装,适用于多种电子电路设计。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:18V(在测试电流Iz=5mA时)
最大齐纳电流:100mA(典型值)
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-35(玻璃封装)
最大反向漏电流:100nA(在VR=14.4V时)
测试电流:5mA
最大动态电阻:10Ω(在Iz=5mA时)
BZX55B18具有良好的电压稳定性和较低的动态电阻,能够在宽电流范围内维持恒定的齐纳电压。其动态电阻较低,有助于减小电压波动,提高稳压精度。该器件的温度系数较小,意味着其齐纳电压随温度变化的程度较低,适用于对温度稳定性要求较高的应用场景。
BZX55B18的最大耗散功率为300mW,允许在一定的电流范围内工作,适用于低功耗电路中的稳压和参考电压源设计。其封装形式为DO-35,体积小巧,便于安装和焊接,适用于印刷电路板(PCB)布局。
该齐纳二极管具有良好的长期稳定性,在正常工作条件下,其电压特性不会随时间显著变化。此外,BZX55B18的反向漏电流非常低,在未达到齐纳击穿电压之前,几乎不导通,确保了电路的低功耗性能。
由于其封装形式为玻璃轴向封装,BZX55B18在高温和高湿环境下仍能保持良好的电气性能,适用于工业控制、电源管理、测量仪器等多种电子设备。
BZX55B18广泛应用于需要稳定电压源的电子电路中,如电源稳压电路、电压参考源、过压保护电路、电池管理系统、测量仪器和传感器电路等。其18V的齐纳电压适用于中等电压级别的稳压需求,常用于为运算放大器、ADC/DAC转换器、微控制器等器件提供参考电压。
在电源设计中,BZX55B18可用于构建低成本的线性稳压电路,尤其适用于小功率应用。在过压保护电路中,它可以作为电压钳位元件,防止敏感电子元件因电压过高而损坏。此外,BZX55B18还可用于信号调理电路中,作为限幅或基准比较电路的一部分。
BZX55C18, BZX84B18, 1N4744A