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BZV85-C51 发布时间 时间:2025/9/14 8:48:00 查看 阅读:12

BZV85-C51是一种常见的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件由NXP Semiconductors生产,具有稳定且精确的齐纳击穿电压,适用于低功率电子电路中的电压调节。BZV85系列采用标准的DO-35封装,具备较高的稳定性和可靠性。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:5.1V
  容差:±5%
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:DO-35(轴向引线)
  测试电流:5mA
  最大反向漏电流:100nA(在1V反向电压下)

特性

BZV85-C51具备出色的电压稳定性和低温度系数,能够在广泛的温度范围内维持其标称齐纳电压。该器件的额定功率为300mW,适合用于低功耗电路设计。其DO-35封装结构坚固,便于手工焊接和安装,并具备良好的散热性能。BZV85-C51的齐纳电压在测试电流为5mA时非常稳定,适用于需要精确电压参考的应用,例如电源管理电路、电压监测器和模拟信号处理电路。
  此外,BZV85-C51具有较低的动态电阻,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。该器件的反向漏电流非常低,在1V反向电压下仅为100nA,因此在低电流应用中不会造成显著的功耗问题。其高可靠性设计使其适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

应用

BZV85-C51广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子电路中。常见的应用包括电源电路中的基准电压源、ADC/DAC电路的参考电压、过压保护电路、电压调节模块以及模拟信号调理电路。由于其齐纳电压接近TTL和CMOS逻辑电平的典型工作电压(5V),因此特别适合用于数字系统的电压参考和逻辑电平转换。此外,它还可用于低功率稳压电路、电池供电设备和传感器信号调节电路。

替代型号

1N4733A, L78L33ACZ, LM385-1.2

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BZV85-C51参数

  • Typical Voltage Temperature Coefficient48.65mV/°C
  • 安装类型通孔
  • 宽度2.6mm
  • 封装类型DO-41
  • 尺寸4.8 x 2.6 x 2.6mm
  • 引脚数目2
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散1300 mW
  • 最大反向漏电流0.05μA
  • 最大齐纳阻抗125Ω
  • 最高工作温度+200 °C
  • 测试电流4mA
  • 配置
  • 长度4.8mm
  • 额定齐纳电压51V
  • 高度2.6mm
  • 齐纳电压容差±5%
  • 齐纳类型稳压器