BZV55C2V4 是一款由 NXP(恩智浦)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路中的参考电压源。该器件具有稳定的击穿电压特性,适用于需要精确电压控制的电子应用。其封装形式为 DO-35,适合通孔安装。
类型:齐纳二极管
击穿电压(Vz):2.4 V
最大耗散功率(Ptot):300 mW
最大齐纳电流(Izmax):约 100 mA
最大反向漏电流(Ir):100 nA(在1 V反向电压下)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-35
引脚数:2
BZV55C2V4 齐纳二极管具备良好的电压稳定性和低动态阻抗,使其在电源管理电路中表现出色。该器件的温度系数较低,能够在不同温度条件下保持稳定的击穿电压,确保电路工作的可靠性。此外,其高功率耗散能力允许在较大电流条件下使用,适用于多种电压调节和参考电压生成的应用场景。该器件的制造工艺确保了良好的长期稳定性,减少了因时间推移而引起的电压漂移问题。
这款齐纳二极管的结构设计具有良好的热稳定性和机械强度,适用于工业级和汽车电子系统中的电压参考和保护电路。由于其DO-35封装体积小巧,便于在紧凑的电路板布局中使用,同时保证了良好的焊接性能和机械固定性。
BZV55C2V4 主要用于需要稳定电压参考的电路中,例如稳压电源、电压监测电路、电池管理系统、仪表放大器参考电压源以及过压保护电路。该器件也可用于信号调理电路中,为比较器和运算放大器提供稳定的参考电压。此外,它还可用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中的电压调节与保护应用。
1N4728A, BZX84C2V4, MM5919