BZV55-C27,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件属于 BZV55 系列,具有固定击穿电压为 27V,适合用于中低功率电子电路中的稳压功能。该型号采用 SOD40F 封装,具备良好的热稳定性和电气性能。
类型:齐纳二极管
击穿电压:27V
容差:±5%
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-65°C ~ 150°C
封装类型:SOD40F
引脚数:2
最大反向漏电流:100nA(在 10V)
测试电流:1mA
最大动态电阻:150Ω
BZV55-C27,115 是一款性能稳定的齐纳二极管,其主要特性包括良好的电压稳定性和低动态阻抗。该器件在额定电流下的电压变化较小,能够提供稳定的参考电压。其 SOD40F 封装具备良好的散热性能,适用于多种电子设备。此外,该齐纳二极管具有较高的可靠性,在宽温度范围内(-65°C 至 150°C)都能保持稳定的工作性能。其最大耗散功率为 300mW,适用于中低功耗电路设计。在反向击穿状态下,该器件能够维持恒定电压,适用于电源稳压、信号调节和电压参考等应用。此外,其低漏电流特性也使其在待机或低功耗模式下表现出色。
BZV55-C27,115 还具有较高的抗静电能力和良好的长期稳定性,能够在复杂电磁环境中保持正常工作。由于其封装尺寸小巧,便于在 PCB 上布局和焊接,适用于自动化生产流程。该器件符合 RoHS 标准,适用于无铅工艺,满足现代电子产品的环保要求。
BZV55-C27,115 主要用于以下应用场景:电源稳压电路中的电压基准;过压保护电路中的钳位元件;模拟和数字电路中的参考电压源;电池供电设备中的电压调节;传感器信号调节电路;以及各种中低功率电子设备中的电压稳定需求。此外,该器件也常用于工业控制、消费电子、汽车电子和通信设备等领域。
BZX84-C27, BZV55B27, BZV55-C27-TAP, 1N4728A