BZV55-B11是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压生成。该器件采用SOD-523封装,具有体积小、响应速度快、稳定性能好等特点,适用于各种便携式电子设备和电源管理系统。
类型:齐纳二极管
封装:SOD-523
齐纳电压(Vz):11V @ 5mA
容差:±2%
最大齐纳电流(Izmax):100mA
最大反向漏电流(Ir):100nA @ Vr=2V
最大功耗(Ptot):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
BZV55-B11属于BZV55系列齐纳二极管中的B等级产品,具有±2%的电压容差,适用于对电压精度有一定要求的电路设计。该器件采用硅半导体技术制造,具有良好的温度稳定性和长期可靠性。其SOD-523封装形式适用于表面贴装工艺,便于自动化生产。
在电气特性方面,BZV55-B11能够在较宽的电流范围内保持稳定的齐纳电压,确保电路中的电压调节功能可靠运行。其最大齐纳电流为100mA,允许在中等功率应用中使用,同时具备较低的反向漏电流,有助于提高电路的能效。
此外,BZV55-B11具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持其齐纳电压特性。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于大多数工业和消费类电子设备。封装材料符合RoHS标准,符合现代电子产品对环保的要求。
BZV55-B11广泛应用于各种电子设备中的电压参考和调节电路。例如,在电源管理系统中,它可以作为基准电压源,为比较器或稳压器提供稳定的参考电压。在电池供电设备中,BZV55-B11可用于监测电池电压并防止过放电。此外,它也可用于信号调理电路中,为运算放大器或其他模拟电路提供精确的参考电压。
在数字电路中,BZV55-B11可用于电平转换或作为过压保护元件,防止输入信号超过安全电压范围。由于其快速响应特性,它在需要瞬态电压抑制的应用中也表现出色,如防止静电放电(ESD)对敏感电路造成损坏。
BZX84-B11, MMSZ5231B