BZV49-C36,115 是一款由 Nexperia(原恩智浦半导体分立器件业务部门)生产的单向硅稳压二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路中的应用。该器件属于 BZV49-C 系列,其设计适用于需要稳定电压输出的电源管理、电池充电、电压参考以及过压保护等场景。该稳压二极管的标称齐纳电压为 36V,采用 DO-41 封装形式,具有较高的稳定性和可靠性。
类型:单向齐纳二极管
齐纳电压(Vz):36V
容差:±5%
最大耗散功率(Ptot):1.3W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-41
引线极性:轴向引线
最大反向漏电流(IR):0.1μA(@ VR = 20V)
BZV49-C36,115 是一款性能优异的齐纳二极管,其主要特性包括良好的电压稳定性、低动态阻抗和快速响应时间。由于采用了先进的硅半导体技术,该器件在各种工作条件下均能保持稳定的齐纳电压输出,适用于对电压精度要求较高的电路中。
该器件的封装形式为 DO-41,这是一种广泛使用的标准封装,便于在各种 PCB 设计中安装和焊接。同时,DO-41 封装具有良好的散热性能,使得 BZV49-C36,115 能够在较高功率条件下正常工作。
此外,该齐纳二极管的容差为 ±5%,这意味着其实际工作电压与标称值之间的偏差较小,适用于对电压参考要求较高的模拟和数字电路设计中。BZV49-C36,115 还具有较低的反向漏电流,在非导通状态下几乎不消耗电流,有助于提高系统的能效。
该器件的最高工作温度可达 +150°C,适用于高温环境下的工业级应用。结合其宽广的工作温度范围和良好的热稳定性,BZV49-C36,115 被广泛应用于电源、电池管理系统、工业控制和通信设备中。
BZV49-C36,115 主要应用于需要稳定电压或进行电压钳位的电路中。常见的应用场景包括电源稳压、电压参考源、过压保护电路、电池管理系统、工业控制设备、仪表和传感器电路等。
在电源设计中,该器件可用作反馈回路中的电压基准,以确保输出电压的稳定性。在电池管理系统中,它可以用于防止电池电压过高而损坏电池组或相关电路。
此外,BZV49-C36,115 也可用于通信设备中的信号线路保护,防止因电压波动或静电放电(ESD)引起的损坏。其低漏电流特性使其非常适合用于低功耗设备中的保护电路。
在模拟电路设计中,该齐纳二极管常被用作高精度电压基准,为运算放大器、ADC 和 DAC 等器件提供稳定的参考电压。
BZV49-C36,133; BZV49-C36,112; 1N4749A; 1N5236B