类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　制造商：PanJIT
　　型号：BZT52C8V2S WD
　　封装：SOD-123
　　齐纳电压（Vz）：8.2V（在测试电流条件下）
　　最大耗散功率（Pd）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　反向工作电压（VR）：最大额定值通常为齐纳电压
　　测试电流（Iz）：5mA（典型值）
　　最大齐纳阻抗（Zz）：10Ω（在Iz条件下）
　　漏电流（IR）：在额定反向电压下通常小于100nA

BZT52C8V2S WD是一款性能优异的齐纳二极管，具有出色的电压稳定性和低动态阻抗，确保在不同负载条件下保持稳定的电压输出。该器件的SOD-123封装使其适合在紧凑型电路设计中使用，同时具有良好的热性能，能够有效散热以保持长期稳定性。齐纳二极管在反向击穿区域工作，提供精确的电压参考，适用于多种电压调节和保护电路。此外，BZT52C8V2S WD具有较低的温度系数，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出，适用于工业级应用。其高可靠性和耐用性使其成为许多电子系统中的理想选择。
　　该器件的典型应用包括在电源电路中提供稳定的参考电压、保护敏感电路免受过电压损害以及在电池管理系统中用于电压监测。BZT52C8V2S WD的低漏电流特性有助于减少电路中的静态功耗，提高整体能效。由于其出色的电气性能和稳定的工作特性，该齐纳二极管被广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

BZT52C8V2S WD主要用于需要稳定电压为8.2V的电路中，常见应用包括电压调节器、参考电压源、过电压保护电路和电池管理系统。在电源管理电路中，它可以为ADC或其他敏感电路提供精准的参考电压。此外，该器件也适用于低功耗电子设备中的电压稳定和保护功能。由于其SOD-123封装的小型化特点，该器件广泛应用于便携式电子产品、智能传感器和嵌入式系统中。

BZT52C8V2-7-F, BZT52C8V2, BZT52C8V2S