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BZT52C4V3SW6 发布时间 时间:2025/8/16 15:37:28 查看 阅读:21

BZT52C4V3SW6 是一种表面贴装(SMT)封装的齐纳二极管(Zener Diode),由 Diodes Incorporated 生产。该器件的齐纳电压为 4.3V,适用于需要稳定电压参考或电压限制的电路中。由于其紧凑的封装形式,BZT52C4V3SW6 非常适合在空间受限的电路板设计中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOT-23(SMT)
  齐纳电压(Vz):4.3V
  容差:±5%
  最大齐纳电流(Iz(max)):200mA
  功率耗散(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

BZT52C4V3SW6 具有良好的电压稳定性和较低的动态阻抗,使其能够在负载变化和输入电压波动的情况下提供稳定的参考电压。该器件采用 SOT-23 封装,具有较小的体积和较高的热效率,适合用于高密度 PCB 布局。此外,其宽工作温度范围确保了在各种环境条件下的可靠性。
  齐纳二极管通常用于电压调节、信号电平转换、过压保护以及作为基准电压源。BZT52C4V3SW6 在电源管理、消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中都有广泛的应用。其 ±5% 的容差确保了较高的精度,同时其 200mA 的最大齐纳电流支持中等功率的负载需求。

应用

该器件常用于电源电路中的电压参考或稳压,例如在 DC-DC 转换器、LDO 稳压器和电池供电设备中提供稳定的基准电压。BZT52C4V3SW6 也可用于保护电路,防止过电压对敏感元件造成损害。此外,它还可用于信号调理电路、电压检测电路以及模拟电路中的偏置电压源。

替代型号

BZT52C4V3-7、MMBZ5235BLT1G、1N4735A、BZX84C4V3

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