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BZT52C3V9 发布时间 时间:2025/8/17 4:58:51 查看 阅读:22

BZT52C3V9 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductors)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护。该器件具有3.9V的齐纳击穿电压,适合用于低功率应用中的稳压或参考电压源。

参数

类型:齐纳二极管
  额定功率:300mW
  齐纳电压:3.9V
  最大齐纳电流:80mA
  最大反向漏电流:100nA(@ VR=1V)
  最大动态电阻:80Ω(@ IZ=1mA)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOD-123

特性

BZT52C3V9 是一款高稳定性和可靠性的齐纳二极管,其主要特性包括稳定的3.9V齐纳电压、低动态电阻以及低反向漏电流。该器件采用SOD-123封装,具有较小的体积,便于在高密度PCB设计中使用。其最大额定功率为300mW,最大齐纳电流为80mA,适用于低功耗的稳压应用。
  此外,该齐纳二极管的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,使其能够在各种环境条件下稳定工作。其封装设计也具备良好的热管理和机械稳定性,适合用于自动化贴片工艺。BZT52C3V9在电压参考、电源管理、过压保护以及信号调节电路中均有广泛应用。

应用

该齐纳二极管广泛应用于电源适配器、电池管理系统、电压监测电路、LED驱动电路以及各种便携式电子设备中。它常用于构建基准电压源、提供过压保护、调节低功率电源或作为比较器的参考电压输入。此外,在模拟电路中,BZT52C3V9也可用于稳定运算放大器或其他模拟器件的偏置电压。

替代型号

MM3Z3V9B, MMSZ5239B, 1N4739A

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BZT52C3V9参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor
  • 产品种类稳压二极管
  • 齐纳电压3.9 V
  • 电压容差5 %
  • 电压温度系数- 1.75 mV / C
  • 功率耗散500 mW
  • 最大反向漏泄电流2.7 uA
  • 最大齐纳阻抗90 Ohms
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOD-123
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量3000
  • 零件号别名RH