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BZT52C36S-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 9:15:50 查看 阅读:62

BZT52C36S-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),属于BZT52C系列。该器件采用SOD-323封装,具有小型化、高稳定性和良好的热性能等特点,适用于需要精密电压参考和过压保护的便携式电子设备中。其标称齐纳电压为3.6V,在额定工作电流下能够提供稳定的电压输出,并具备较低的动态阻抗和温度系数,确保在宽温度范围内保持优异的稳压性能。该器件广泛用于电源管理、信号调理、嵌入式系统以及消费类电子产品中的电压钳位与保护电路。由于采用了先进的制造工艺,BZT52C36S-7-F具备良好的一致性和可靠性,符合无铅(RoHS)环保标准,适合自动化贴片生产流程。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景,同时能够在有限的空间内实现高效的散热管理。

参数

类型:齐纳二极管
  功率:200mW
  标称齐纳电压:3.6V
  测试电流:200μA
  最大齐纳阻抗:100Ω
  容差:±5%
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装:SOD-323
  极性:单向
  最大平均整流电流:未定义
  反向漏电流:≤ 1μA @ 1V
  峰值脉冲功率:未指定
  安装类型:表面贴装

特性

BZT52C36S-7-F作为一款高性能的表面贴装齐纳二极管,具备出色的电压稳定性和温度特性,适用于对精度和可靠性要求较高的低压稳压应用。其核心材料采用高纯度硅半导体并结合精密掺杂工艺,确保了齐纳击穿电压的高度一致性与长期稳定性。该器件在200μA的测试电流下可提供3.6V的标称稳压值,且最大齐纳阻抗仅为100Ω,这意味着在负载变化时仍能维持较小的输出电压波动,从而提升系统的整体稳定性。其±5%的初始容差允许在无需额外校准的情况下直接用于大多数基准电压源设计。
  该器件采用SOD-323超小型封装,体积仅为1.7mm × 1.25mm × 0.95mm,极大节省PCB布局空间,特别适合智能手机、可穿戴设备、物联网终端等高度集成的电子产品。尽管尺寸微小,但其热设计经过优化,可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作,表现出优异的高低温适应能力。此外,低反向漏电流(≤1μA @ 1V)有助于减少待机功耗,提升电池供电设备的续航能力。
  BZT52C36S-7-F还具备良好的瞬态响应能力,能够在电压突变或浪涌发生时迅速进入导通状态,有效抑制异常电压对后级电路的冲击。这种特性使其不仅可用于电压参考,还可应用于信号电平转换、输入保护和ESD防护等场景。器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求,并通过了IEC 61000-4-2 ESD抗扰度测试,增强了在恶劣电磁环境下的运行可靠性。所有材料均符合RoHS指令,不含铅、镉等有害物质,支持绿色环保制造。

应用

BZT52C36S-7-F主要用于需要低电压基准、信号电平调节和电路保护的各类电子系统中。常见应用包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中的电源监控与电压检测电路;在MCU或传感器接口中作为电平转换元件,确保信号兼容性;也可用于ADC参考电压源或偏置电路中提供稳定的偏置点。此外,在通信模块、无线传感节点和电池管理系统中,该器件可用于防止因电源波动导致的误触发或数据错误。其低功耗特性也使其适用于始终在线的低功耗监测电路。工业控制领域中,常用于PLC输入模块的信号调理与过压保护。在汽车电子中,可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的辅助稳压与ESD防护。由于其快速响应能力和小型封装,也广泛用于高速数据线路的瞬态电压抑制。

替代型号

[
   "MMBZ5236B,115",
   "PMBZ5236B,215",
   "SZMM3Z3V6B-GS08",
   "BAT54C-WT"
  ]

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BZT52C36S-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)36V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 25.2V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)90 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称BZT52C36S-FDIDKR