齐纳电压：2.4V
　　齐纳电流：5mA（典型值）
　　最大耗散功率：300mW
　　封装形式：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流：100nA（@ VR=1.5V）
　　齐纳阻抗：300Ω（最大值）

BZT52C2V4 是一款高性能的齐纳二极管，具备良好的电压稳定性和温度稳定性。其SOD-123封装形式适用于表面贴装工艺，节省空间且便于自动化生产。该器件在低电压调节应用中表现出色，适用于电源管理、信号调节、电压参考和保护电路等场景。此外，BZT52C2V4 具有良好的响应速度和较低的动态阻抗，有助于提高电路的稳定性和精度。
　　在制造工艺方面，BZT52C2V4 采用高纯度半导体材料和先进封装技术，确保其在各种工作条件下的可靠性和稳定性。其工作温度范围宽广，能够在极端环境下正常运行，适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多种应用领域。此外，该器件的低漏电流特性使其在低功耗设计中具有优势，有助于延长电池供电设备的使用寿命。

BZT52C2V4 主要用于需要稳定电压参考的电子电路中，如电源管理模块、电压调节器、信号调理电路、电池充电电路和嵌入式系统。在消费类电子产品中，它可用于为微控制器、传感器和通信模块提供稳定的电压参考。在工业控制系统中，该器件可用于精密测量和信号调节电路。此外，BZT52C2V4 还适用于保护电路，用于限制电压波动和防止过压损坏其他敏感电子元件。

BZT52C2V4 可以被以下型号替代：MM3Z2V4B、1N4728A、BZX84C2V4、ZMM2V4。这些型号在电气特性和封装形式上相似，可根据具体应用需求进行选择。