类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　封装/包装：SOT-23（SC-59）
　　最大直流反向电压（VRRM）：40V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　最大正向电压（VF）：0.45V @ 10mA，0.6V @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C，25V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：0.5A
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　生产商：Diodes Incorporated
　　产品系列：BZT52B8V2LP-7

BZT52B8V2LP-7的核心优势之一是其采用肖特基势垒技术，这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降（VF）。在10mA的工作电流下，VF仅为约0.45V，在100mA时也仅上升至0.6V左右。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效，特别适合电池供电的移动设备和对功耗敏感的应用场合。同时，低VF有助于减少热量积累，从而提升系统长期运行的稳定性和可靠性。
　　另一个关键特性是其快速的开关性能。肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间（trr）非常短，典型值仅为4ns。这意味着在高频开关应用中，如开关电源中的续流或箝位电路，BZT52B8V2LP-7能够迅速响应电压极性的变化，避免产生较大的反向恢复电流尖峰，进而减少电磁干扰（EMI）并提高转换效率。这对于工作频率较高的DC-DC转换器尤为重要。
　　该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约2.8mm × 1.6mm × 1.1mm），非常适合空间受限的高密度PCB布局设计。尽管体积小，但其热设计仍经过优化，能够在适当的PCB布线条件下有效散热，支持持续200mA的平均整流电流。此外，高达40V的反向耐压能力使其可应用于多种低压直流系统中，例如5V、12V或24V电源轨的保护电路。
　　BZT52B8V2LP-7还具备良好的温度稳定性，在宽温度范围内保持一致的电气性能。其工作结温可达+150°C，适用于工业环境或高温运行条件下的电子设备。器件通过AEC-Q101认证，表明其满足汽车电子元器件的严苛可靠性要求，可用于车载信息娱乐系统、传感器接口、LED照明驱动等应用场景。此外，产品符合无铅和无卤素标准，支持现代环保制造流程，并兼容自动化贴片生产工艺，便于大规模生产使用。

BZT52B8V2LP-7因其双肖特基共阴极结构和优异的电气特性，广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域，常用于低压直流-直流转换器中的同步整流或续流二极管，特别是在升压（Boost）或降压-升压（Buck-Boost）拓扑中作为输出端的隔离与能量回馈路径。其低正向压降有助于提升转换效率，尤其在轻载或中等负载条件下表现突出。
　　在信号处理电路中，该器件可用于高频信号检波、限幅和钳位功能。例如，在射频接收前端或音频信号路径中，利用其快速响应能力实现对瞬态电压的抑制，防止后续放大器或ADC输入过载。此外，也可用于数据线上的静电放电（ESD）保护，结合TVS器件形成多级防护网络，增强系统抗干扰能力。
　　在电池供电设备中，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端，BZT52B8V2LP-7常被用作电源切换开关的防倒灌二极管，确保主电源与备用电源之间不会相互反向供电。其低VF特性最大限度地减少了电压损失，延长了电池续航时间。
　　在汽车电子方面，得益于AEC-Q101认证，该器件可用于车载充电器、车身控制模块、CAN总线保护电路以及LED车灯驱动单元中，执行电压箝位、反接保护和噪声滤波等功能。
　　此外，BZT52B8V2LP-7还可用于HDMI、USB等高速接口的直流偏置维持电路，或作为逻辑电平移位电路中的辅助元件，确保信号完整性的同时提供必要的保护机制。其高集成度和小型封装使其成为现代多功能、微型化电子产品中的理想选择。

BAT54C, BAV99, PMDU3946, SMBJ5.0A, CZRMBS2H