类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　型号：BZT52-C8V2S T/R
　　封装类型：SOD-123
　　额定齐纳电压：8.2V
　　最大齐纳电流：200mA
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　最大反向漏电流（VR < VZ）：100nA（典型值）
　　齐纳阻抗（Zzt）：10Ω（最大）
　　容差：±5%
　　极性：单极

BZT52-C8V2S T/R稳压二极管具有多项优异的电气和物理特性，使其在各种电路应用中表现出色。首先，其精确的8.2V齐纳电压具有±5%的容差，确保了电压调节的稳定性，适用于需要精确参考电压的设计，如电源管理、ADC参考源等。其次，该器件的最大齐纳电流为200mA，功率耗散为300mW，能够在中等功率应用中提供可靠的稳压性能。此外，其低齐纳阻抗（最大10Ω）有助于减少电压波动，提高电路的稳定性。
　　在封装方面，BZT52-C8V2S T/R采用紧凑的SOD-123封装，占用PCB空间小，适合高密度电路设计。该封装还具有良好的热管理和机械强度，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种环境条件。其低反向漏电流（典型值100nA）也确保了在非导通状态下的低功耗表现。
　　该器件的快速响应特性使其适用于动态负载调节和瞬态电压保护应用。此外，BZT52-C8V2S T/R具备良好的长期稳定性，适合在工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域中使用。

BZT52-C8V2S T/R广泛应用于需要稳定电压参考或过压保护的电路设计中。例如，在电源电路中，它可以作为参考电压源，用于调节DC-DC转换器、LDO稳压器或其他电源模块的输出电压。在模拟电路中，该齐纳二极管可作为ADC或DAC的参考电压源，提高测量和转换精度。
　　此外，BZT52-C8V2S T/R也可用于保护电路，防止因过压或静电放电（ESD）导致的损坏。它常用于接口电路、信号调理电路和传感器电路中，为关键电路提供电压钳位保护。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件有助于实现紧凑型稳压解决方案。
　　工业自动化设备、仪器仪表和嵌入式系统中也常见该齐纳二极管的身影，用于提供精确的参考电压或作为电压监测电路的一部分。在汽车电子系统中，它可以用于保护车载电子模块免受电压浪涌的影响。

BZT52C8V2-7-F（Diodes Inc）
　　ZMM8V2（Nexperia）
　　ZEN108Z5B8V2（Littelfuse）
　　MMBZ52C8V2（ON Semiconductor）