类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　型号：BZT52-C27ST/R
　　封装形式：SOD-123（表面贴装）
　　齐纳电压：27V（典型值）
　　最大齐纳电流：200mA
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流：≤ 100nA（最大值）
　　齐纳阻抗：≤ 90Ω（最大值）

BZT52-C27ST/R是一款性能稳定的表面贴装齐纳二极管，具有良好的温度稳定性和响应速度。该器件的齐纳电压为27V，适用于中等电压的稳压和参考应用。其SOD-123封装形式不仅节省空间，而且具有良好的热性能，适合用于高密度电路板设计。此外，BZT52-C27ST/R的功率耗散能力达到300mW，能够在较高负载下稳定工作。该器件的齐纳阻抗较低，有助于减小输出电压的波动，提高系统的稳定性。在反向偏置状态下，漏电流极低，确保在低功耗应用中的稳定性。由于其良好的电气特性和紧凑的封装，BZT52-C27ST/R广泛应用于电源管理、电池充电、过压保护、电压参考和信号调节等电路中。此外，该器件的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），适用于工业级和车载电子系统等严苛环境下的应用。

BZT52-C27ST/R适用于多种电子电路设计，特别是在需要稳定电压参考或过压保护的场合。它常用于电源电路中作为电压参考，确保输出电压的稳定性。此外，该器件也可用于电池管理系统，作为电压监测元件，防止电池过充或过放。在汽车电子系统中，BZT52-C27ST/R可用于保护敏感电路免受瞬态电压波动的影响。在工业控制设备中，该齐纳二极管可用于提供稳定的基准电压，以确保模拟和数字电路的精确运行。此外，该器件还可用于LED驱动、DC-DC转换器、传感器电路和信号调节电路中。

BZT52C27-7-F（Diodes Inc.）、MMBZ52C27ALT1G（ON Semiconductor）、ZMM27（NXP Semiconductors）