BZT52-B6V2J 是一种表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),由台湾亿光电子(Everlight Electronics)生产。齐纳二极管是一种用于电压参考和电压调节的半导体器件,能够在反向击穿区域稳定工作,提供恒定的电压输出。BZT52-B6V2J 的齐纳电压为6.2V,在电子电路中广泛用于稳压、过压保护、参考电压源等应用。该器件采用SOD-123封装,适合高密度PCB布局和自动化装配。
齐纳电压: 6.2V
齐纳电流: 5mA
最大耗散功率: 200mW
工作温度范围: -55°C 至 150°C
存储温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: SOD-123
反向漏电流: ≤ 0.1μA(在1V反向电压下)
最大反向电流: 100mA
BZT52-B6V2J 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和较低的温度系数,确保在不同环境条件下仍能提供稳定的参考电压。其SOD-123封装设计不仅节省空间,还具有良好的热性能和机械稳定性,适合在高振动或高密度电路中使用。
该器件的齐纳击穿电压为6.2V,在5mA的测试电流下具有较高的电压精度,典型公差为±5%(J等级),适用于大多数通用稳压场合。BZT52-B6V2J 的最大功耗为200mW,可在较宽的温度范围内(-55°C至+150°C)可靠工作,适合工业级和汽车电子应用。
此外,该齐纳二极管具有低反向漏电流特性(在1V反向电压下小于0.1μA),有助于减少电路中的静态功耗和噪声干扰。它还可承受高达100mA的反向电流,具有较强的过载能力,适用于电压钳位和保护电路设计。
由于其良好的性能和稳定的电气参数,BZT52-B6V2J 被广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电压检测、信号调节、LED驱动、电池充电器等电路中,作为基准电压源或电压限制元件。
BZT52-B6V2J 主要用于以下应用场景:电压参考源、稳压电路、过压保护电路、信号调节电路、LED驱动电路、电源管理系统、DC-DC转换器、电池充电器、工业控制设备、消费类电子产品、汽车电子模块等。
BZT52C6V2、MMBZ5231B、1N4735A、SMB5918B