时间：2025/8/14 18:21:08
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BZQ55C9V1 T/R是一种表面贴装的齐纳二极管（Zener Diode），由Nexperia（原恩智浦半导体的小信号部门）制造。齐纳二极管是一种利用反向击穿特性来实现稳压功能的半导体器件，适用于需要精确电压参考或电压调节的电路设计。BZQ55C9V1 T/R的标称齐纳电压为9.1V，适用于低功率稳压应用，广泛用于便携式电子设备、电源管理电路、信号调节电路以及嵌入式系统中。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：9.1V（在测试电流Iz=5mA时）
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-65°C ~ 150°C
封装形式：SOD-123
极性：单向
测试电流（Iz）：5mA
最大反向漏电流（Ir）：100nA（在VR=1V时）
最大齐纳阻抗（Zz）：40Ω（在Iz=5mA时）
BZQ55C9V1 T/R具有良好的电压稳定性和较低的动态阻抗，使其能够在输入电压或负载变化时仍保持稳定的输出电压。该器件采用SOD-123封装，体积小、重量轻，适合高密度PCB布局。其高可靠性和宽工作温度范围确保了在各种环境条件下稳定运行。此外，BZQ55C9V1 T/R的响应速度快，能够快速适应电路中的电压波动，提供即时的稳压保护。器件还具备较低的温度系数，确保在温度变化时电压的稳定性。该齐纳二极管广泛用于电压参考、稳压、过压保护和信号调节等应用，尤其适合低功耗和便携式设备的设计需求。
BZQ55C9V1 T/R常用于各种电子设备中的电压调节和参考源设计，例如电池供电设备、电源适配器、DC-DC转换器、电压检测电路、信号调节电路以及工业控制系统中的稳压模块。它也可用于保护敏感电子元件免受过压损害，常见于通信设备、消费类电子产品、汽车电子系统以及嵌入式控制系统中。
1N4739A-AP, BZX84C9V1, BZV55-B9V1, MM5Z9V1ST
