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BZG04-C75 发布时间 时间:2025/12/27 21:31:01 查看 阅读:16

BZG04-C75是一款齐纳(Zener)稳压二极管,由NXP Semiconductors等知名半导体制造商生产。该器件属于BZG系列,专为高可靠性电压箝位和稳压应用设计。BZG04-C75的标称齐纳电压为75V,适用于需要精确、稳定高压参考的应用场景。该器件采用SOD-323(SC-90)小型表面贴装封装,具有体积小、功耗低、响应速度快等特点,适合在空间受限的现代电子设备中使用。BZG04-C75广泛应用于电源管理电路、过压保护电路、浪涌抑制、电压参考源以及各种工业控制和通信系统中。其结构设计确保了良好的热稳定性和长期工作的可靠性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出。此外,该器件符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的需求。由于其优良的动态阻抗特性和低漏电流性能,BZG04-C75在高精度模拟电路和敏感信号处理路径中也表现出色,可有效防止因电压波动导致的系统异常或损坏。

参数

类型:齐纳二极管
  封装:SOD-323 (SC-90)
  标称齐纳电压:75 V
  容差:±5%
  功率耗散:500 mW
  最大齐纳电流:6.7 mA
  工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C
  存储温度范围:-65 °C 至 +150 °C
  热阻结至环境:380 K/W
  动态阻抗(在IZT下):≤ 45 Ω
  反向漏电流(VR):≤ 1 μA @ 58 V

特性

BZG04-C75的最显著特性之一是其高精度的电压稳压能力。该器件在75V的标称齐纳电压下工作,具备±5%的电压容差,这使其在需要高稳定性和精确电压参考的应用中表现优异。其齐纳击穿机制经过优化,在反向偏置条件下能够提供非常稳定的电压输出,即使输入电压发生较大波动,也能维持负载端电压基本不变。这一特性使得BZG04-C75非常适合用于精密电源电路中的基准电压源或反馈回路中的稳压元件。
  另一个关键特性是其出色的热稳定性。BZG04-C75可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作,确保在极端环境条件下仍能保持性能一致性。器件内部采用高质量的半导体材料和先进的封装技术,有效降低了温度对齐纳电压的影响,减小了温度系数带来的漂移。这对于高温工业环境或汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景至关重要。
  该器件还具备较低的动态阻抗(通常不超过45Ω),这意味着在负载电流变化时,输出电压的变化非常小,从而提高了系统的整体稳定性。同时,BZG04-C75在未达到击穿电压时具有极低的反向漏电流(在58V时不超过1μA),有助于减少待机功耗并提升能效。此外,其500mW的额定功率允许在有限的空间内实现适度的功率耗散,配合SOD-323的小型化封装,非常适合高密度PCB布局。
  SOD-323封装不仅节省空间,而且支持自动化贴片生产,提高了制造效率和产品一致性。该封装具有良好的散热性能和机械强度,能够在回流焊过程中承受高温而不损坏内部结构。BZG04-C75还通过了多项国际认证,符合AEC-Q101等汽车级可靠性标准,适用于车载电子系统中的电压保护与稳压功能。

应用

BZG04-C75主要应用于需要高压稳压和过压保护的电子电路中。一个典型的应用场景是在电源管理系统中作为并联稳压器使用,为敏感电路提供稳定的参考电压。例如,在DC-DC转换器或线性稳压电源的反馈网络中,BZG04-C75可用于设定输出电压的基准点,确保输出电压的长期稳定性和精度。
  在工业控制系统中,该器件常用于PLC模块、传感器接口电路和数据采集系统中,用于防止因瞬态电压尖峰或电源波动导致的误操作或设备损坏。其快速响应能力和可靠的击穿特性使其成为理想的瞬态电压抑制(TVS)辅助元件,尤其是在与主TVS二极管配合使用时,可以进一步细化电压箝位水平。
  在通信设备中,BZG04-C75可用于保护高速信号线路免受静电放电(ESD)和雷击感应电压的影响。虽然它不作为主ESD防护器件,但可以在次级保护电路中起到精细调节和电压钳位的作用。此外,在测试测量仪器、医疗电子设备和消费类电子产品中,该器件也被广泛用于构建高精度电压参考源或实现电路级的过压保护。
  在汽车电子领域,BZG04-C75可用于车身控制模块、电池管理系统(BMS)和车载信息娱乐系统中,提供可靠的电压稳压和浪涌抑制功能。由于其符合汽车级可靠性标准,能够在恶劣的电磁和温度环境中稳定运行,因此受到汽车电子设计工程师的青睐。

替代型号

[
   "PZM75,500",
   "MMBZ5253BT1G",
   "SZMZ11-75",
   "BZT52C75-7-F"
  ]

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