时间：2025/6/6 19:07:30
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BZG03C10是一种用于高频射频应用的砷化镓（GaAs）场效应晶体管（FET），专为低噪声放大器设计。该器件采用了先进的GaAs工艺制造，具有高增益、低噪声系数和良好的线性度特性。其典型工作频率范围涵盖DC到约12GHz，适用于无线通信系统中的射频前端模块、卫星接收设备以及测试测量仪器等领域。
型号：BZG03C10
类型：N沟道场效应晶体管（FET）
材料：砷化镓（GaAS）
最大漏源电压(Vds)：6V
最大栅源电压(Vgs)：±4V
漏极饱和电流(Idss)：5mA
截止频率(fT)：超过10GHz
增益：大于12dB
噪声系数：小于1dB
封装形式：SOT-343
BZG03C10的主要特点包括：
1. 高增益性能，使其非常适合用作射频信号链中的第一级放大器。
2. 低噪声系数，确保在高频下仍能提供清晰的信号处理能力。
3. 宽带宽支持，覆盖从直流到高达12GHz的工作频率范围。
4. 优异的线性度表现，减少了失真并提高了系统的整体动态范围。
5. 小型化的SOT-343封装有助于节省PCB空间，并便于安装与集成。
6. 稳定可靠，在各种环境条件下均表现出色。
BZG03C10广泛应用于以下领域：
1. 射频和微波通信系统的低噪声放大器（LNA）。
2. 卫星通信及广播接收设备中的前端放大电路。
3. 雷达系统和电子对抗装置中的信号增强组件。
4. 测试与测量仪器中需要高精度和高灵敏度的射频模块。
5. 无线局域网（WLAN）、蜂窝基站以及其他宽带通信基础设施中的关键元器件。
BZG05C10
BZG03D10
ATF-54143
