类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323
　　标称齐纳电压：13V
　　齐纳电压容差：±5%
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：40Ω
　　额定功率：200mW
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大反向漏电流（Ir）：1μA（在额定电压下）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　峰值脉冲功率：500W（短时）
　　温度系数：+8mV/°C（典型值）

BZG03-C13齐纳二极管的核心特性在于其精确的电压稳定能力和优良的动态响应性能。该器件在反向击穿区域表现出高度可预测的电气行为，能够在宽泛的工作电流范围内维持稳定的输出电压。其标称齐纳电压为13V，在±5%的容差范围内保证精度，适用于对电压参考要求较高的应用场景。动态阻抗是衡量齐纳二极管性能的关键指标之一，BZG03-C13的最大齐纳阻抗为40Ω，这一数值表明其在负载变化时仍能有效抑制电压波动，提供较为平坦的稳压特性。低动态阻抗意味着即使输入电流发生小幅变化，输出电压的变化也极小，从而提升了系统的稳定性。
　　该器件的测试电流设定为5mA，说明其可在较低电流条件下正常工作，这使其非常适合用于电池供电或低功耗电路中。在未达到击穿电压前，其反向漏电流极低，典型值小于1μA，有助于减少待机状态下的能量损耗。当遭遇瞬态高压事件时，BZG03-C13能够快速进入导通状态，将多余能量泄放至地，从而保护后续电路元件免受损坏。其峰值脉冲功率可达500W，具备较强的瞬时过压承受能力，适用于一定程度的ESD防护和雷击感应保护。
　　SOD-323封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，使器件能在-55°C至+150°C的结温范围内可靠运行。温度系数为+8mV/°C左右，虽呈正温度特性，但在多数非极端环境下仍可接受。对于更高精度的应用，可通过外部补偿电路进行校正。此外，该器件符合工业级可靠性标准，经过高温反向偏置（HIRB）、温度循环等多项认证测试，确保在复杂电磁环境和恶劣气候条件下长期稳定工作。其制造工艺采用离子注入与扩散技术结合，提升了掺杂均匀性和击穿一致性，降低了器件失效风险。

BZG03-C13主要应用于需要稳定电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括电源电压监测电路，其中它作为基准源连接到比较器或微控制器的ADC引脚，用于检测系统电压是否超出安全阈值。在低压直流电源系统如USB供电设备、嵌入式控制器和传感器模块中，该器件可用于构建简单的稳压电路，尤其适用于无法使用集成稳压IC的空间受限场合。
　　另一重要应用是在信号线路的静电放电（ESD）保护中。例如，在通信接口如I2C、UART或GPIO线上，BZG03-C13可并联接入以钳制瞬态高压，防止敏感逻辑器件因电压突升而损坏。由于其响应速度快且寄生电容小，不会显著影响信号完整性，因此特别适合高频数字信号路径的保护。
　　在模拟前端电路中，BZG03-C13也可用作偏置电压源或限幅器，确保运算放大器或其他模拟芯片的输入信号不超出允许范围。此外，在电池管理系统（BMS）中，它可以作为单节或多节电池电压采样的参考点，辅助实现均衡控制和故障诊断。
　　工业控制设备、消费类电子产品、汽车电子模块以及物联网终端设备中均可发现其身影。特别是在汽车电子中，尽管主电源系统电压较高，但局部子系统可能需要13V左右的稳压参考，此时BZG03-C13可配合其他元件构成辅助稳压网络。总之，凭借其紧凑封装、稳定性能和成本优势，BZG03-C17在各类中小功率电子系统中发挥着重要作用。

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　　 "PZM13",
　　 "MMBZ5244B",
　　 "SZBZG03-C13",
　　 "CZRM13"
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