时间：2025/9/14 3:32:47
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BZB84-C62,215 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高功率和高效率应用，例如电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及电池管理系统。该器件采用先进的 Trench MOS 技术制造，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。BZB84-C62,215 采用 SOT223 封装形式，适合表面贴装，适用于对空间和散热要求较高的电子设备。
类型: N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）: 60V
栅源电压（Vgs）: ±20V
漏极电流（Id）: 10A
导通电阻 Rds(on): 0.27Ω（最大值）
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装形式: SOT223
功率耗散（Ptot）: 40W
栅极电荷（Qg）: 19nC
输入电容（Ciss）: 980pF
开启阈值电压（Vgs(th)）: 1V~3V
BZB84-C62,215 具有多个显著的性能特点，首先是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下导通损耗大大降低，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的 Trench MOS 技术，使得在小尺寸封装下仍然保持良好的热稳定性和电气性能。
该 MOSFET 还具有较高的栅极稳定性，支持 ±20V 的栅源电压，从而增强了其在高压开关环境中的可靠性。其开启阈值电压范围为 1V~3V，使其能够与常见的逻辑电平（如 3.3V 或 5V 微控制器）兼容，适用于多种控制电路。
采用 SOT223 封装，BZB84-C62,215 不仅体积小巧，而且具有良好的散热能力，适合高密度 PCB 设计。同时，其高达 10A 的漏极电流能力使其适用于中高功率开关应用，例如电机驱动、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。
在可靠性方面，该器件设计用于高温工作环境，并具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
BZB84-C62,215 广泛应用于多个电子领域，包括但不限于电源管理模块、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制系统、汽车电子以及便携式电源设备等。
在电源管理方面，该器件常用于同步整流、负载开关和电源分配系统，以提高电源转换效率并减少功耗。在电机控制中，BZB84-C62,215 用于 H 桥驱动电路或 PWM 控制，实现高效、精确的电机调速。
由于其具备较高的电流承载能力和良好的散热性能，它也适用于高功率密度设计，例如移动电源、LED 驱动器、智能电表以及工业自动化系统中的功率开关模块。
此外，在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动工具、车载逆变器等应用，提供可靠的功率开关性能。
BUK9525-60AE, IRFZ44N, AO3402, SiSS54DN, IPB026N06N3
