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BZB84-C36,215 发布时间 时间:2025/9/14 12:06:44 查看 阅读:10

BZB84-C36,215 是由 NXP Semiconductors 生产的一种双极性晶体管(BJT),属于通用型 NPN 晶体管。该器件广泛应用于开关和放大电路中,适合中低功率应用。该晶体管采用 SOT-23 封装,具有较小的尺寸,适用于紧凑型设计的电路板。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  电流增益(hFE):110 至 800(根据工作条件)
  过渡频率(fT):100 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

BZB84-C36,215 晶体管具有优异的电流放大能力和稳定的性能,适用于各种通用电子电路。其 SOT-23 小型封装便于在 PCB 上安装,且支持自动贴片工艺。晶体管的高过渡频率(100 MHz)使其在高频应用中也能保持良好的响应特性。此外,该器件具有较低的饱和电压,有助于降低功耗并提高电路效率。由于其宽泛的电流增益范围(110 至 800),BZB84-C36,215 可灵活用于不同类型的放大器设计,如音频放大器或数字开关电路。同时,其最大集电极电流为 100 mA,适合中低功率的开关控制应用,例如 LED 驱动或继电器控制。该晶体管还具有较强的环境适应能力,工作温度范围广泛,从 -55°C 到 +150°C,适合在恶劣环境下使用。

应用

BZB84-C36,215 主要用于通用放大和开关电路。典型应用包括音频放大器、数字逻辑电路、LED 驱动、继电器控制、电源管理模块以及传感器信号放大。此外,它也常用于消费电子、工业自动化、汽车电子等领域的基础电子设计中。

替代型号

BC847, BC817, 2N3904

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BZB84-C36,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)36V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 25.2V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大300mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)90 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934063336215