时间：2025/9/14 4:21:43
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BZB84-B2V7,215 是一款由 NXP Semiconductors 生产的双向电压抑制二极管（TVS - 瞬态电压抑制二极管），主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、电压浪涌和瞬态电压等危害。该器件采用SOD-323封装，适用于高精度电子设备的电路保护。
器件类型：TVS 二极管
极性：双向
工作电压：7V
钳位电压：12.8V @ 10.3A
峰值脉冲电流（Ipp）：10.3A
封装类型：SOD-323
最大反向工作电压（Vrwm）：7V
最大漏电流：100nA
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
BZB84-B2V7,215 具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在极短的时间内将过电压引导至地，从而保护后级电路。该器件采用了高效的硅雪崩二极管技术，具有快速响应时间（通常小于1纳秒）和低钳位电压的特点，从而有效降低对被保护设备的影响。
此外，BZB84-B2V7,215 采用SOD-323小型表面贴装封装，适合在空间受限的PCB设计中使用。其低电容特性（通常为30pF）使其适用于高速信号线路的保护，例如USB接口、HDMI接口、以太网端口等应用场景。该器件还具有良好的可靠性和长期稳定性，适用于工业、消费电子和通信设备等多种应用环境。
在ESD保护方面，该TVS二极管能够承受IEC 61000-4-2标准中的4级静电放电冲击（最高可达±8kV接触放电），从而确保电子设备在严苛环境下的正常运行。其双向结构设计使其适用于交流信号线路和双向数据线路的保护。
BZB84-B2V7,215 广泛应用于各类电子设备的电路保护场合，例如便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）、计算机外设（如键盘、鼠标）、通信设备（如路由器、调制解调器）、工业控制系统以及汽车电子模块等。该器件特别适合用于保护高速数据线路、电源线路和信号线路免受静电放电和瞬态电压的损害。
PESD7V0S1BA, BZB84-B2V7
