时间：2025/9/14 6:04:09
阅读：11
BZB84-B11,215 是由 NXP Semiconductors 生产的一款双极性晶体管（BJT），属于通用用途的 NPN 型晶体管。该器件采用 SOT-23 封装，适用于各种通用开关和放大应用。该晶体管具有良好的频率响应和较高的电流增益，适合用于低功耗电子设备中。BZB84-B11,215 通常用于电源管理、信号放大、逻辑电平转换以及其他需要高性能晶体管的电路设计。
类型：NPN 晶体管
最大集电极电流 (Ic)：100 mA
最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
最大功耗：300 mW
电流增益 (hFE)：110 至 800（取决于测试条件）
过渡频率 (fT)：100 MHz
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
BZB84-B11,215 是一款性能稳定、可靠性高的 NPN 型晶体管，广泛用于各种电子电路中。该晶体管具备高电流增益，能够在不同工作条件下提供稳定的放大性能。其 hFE 值在不同电流下可达到 110 到 800，使其适用于多种信号放大和开关应用。此外，该器件具有高达 100 MHz 的过渡频率（fT），因此在高频应用中也能表现出良好的响应特性。
该晶体管采用 SOT-23 小型封装，适合高密度 PCB 设计，节省空间并提高电路集成度。其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，能够满足大多数低压电路设计需求。BZB84-B11,215 的最大功耗为 300 mW，能够在有限的散热条件下稳定工作。
此晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在广泛的工业和消费类环境中使用。无论是在汽车电子、通信设备，还是便携式电子产品中，该晶体管都能提供可靠的工作性能。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗静电能力，增强了其在复杂工作环境下的适用性。
BZB84-B11,215 主要应用于通用放大器电路、数字开关电路、LED 驱动、继电器控制、逻辑电平转换以及各种低功耗电子设备中。在音频放大器设计中，它可作为前置放大级使用；在数字电路中，它可用于构建晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路或作为 MOSFET 的驱动器。此外，该晶体管也广泛用于电源管理电路，如 DC-DC 转换器和电池充电电路中，用于控制电流流动。
由于其高频响应特性，BZB84-B11,215 还可用于射频（RF）前端电路中的信号放大和调制解调电路。在工业自动化系统中，它可用于控制小型继电器或传感器信号的开关。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该晶体管也常用于实现低功耗控制电路。
BC847, BC817, 2N3904, PN2222
