BZB784-C2V4,115 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的双向击穿二极管(也称为齐纳二极管),主要用于电压调节、过压保护和稳压电路中。该器件具有精确的击穿电压和较低的动态电阻,适用于需要稳定直流电压的电子系统。其封装形式为SOD-323,适合在空间受限的PCB布局中使用。
类型:齐纳二极管
极性:双向
标称齐纳电压:2.4 V
最大齐纳电流:100 mA
最大功耗:300 mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装/外壳:SOD-323
BZB784-C2V4,115 具备多项关键特性,适用于广泛的电子应用。其最重要的特性之一是精确的齐纳击穿电压控制能力,该器件的标称击穿电压为2.4 V,能够在较小的电压波动下保持稳定的输出电压。这种高精度的电压调节性能使其非常适合用于参考电压源或精密稳压电路。
另一个显著的特点是其低动态电阻(Zzt),这有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。动态电阻越低,齐纳二极管在电流变化时电压波动越小,从而提高了系统的稳定性与可靠性。此外,该器件具有快速响应时间,能够在瞬态过压条件下迅速启动,起到保护电路的作用。
这款齐纳二极管采用双向设计,可以在正向和反向电压下工作,增强了其在不同电路拓扑中的适应性。其SOD-323封装形式不仅节省空间,还具备良好的热管理和机械稳定性,适合在高密度PCB设计中使用。此外,该器件的最大功耗为300 mW,可在较宽的工作温度范围内(-55°C至+150°C)稳定运行,适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用场景。
BZB784-C2V4,115 主要用于各种需要电压调节和过压保护的电子系统中。例如,在电源管理电路中,它可以作为参考电压源来稳定输出电压,确保后级电路的正常工作。它也常用于模拟电路中,为运算放大器、比较器等提供稳定的偏置电压。
在数字系统中,该器件可用于保护微控制器、传感器和其他敏感电子元件免受电压波动的影响。此外,BZB784-C2V4,115 也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和传感器接口电路,以确保这些关键系统的稳定性和安全性。
由于其双向特性,该器件还可用于信号调理电路中的电压限制器,防止输入信号超过预定的电压范围,从而保护后续电路不被损坏。它也适用于通信设备中的浪涌保护电路,以应对静电放电(ESD)和瞬态电压尖峰的冲击。
BZX84-C2V4, Diodes Inc. 的 ZB474B2V4, STMicroelectronics 的 L78LACZ2V4