时间：2025/9/14 11:53:51
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BZB784-C10,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）设计的射频（RF）晶体管，主要用于射频功率放大应用。这款晶体管基于硅双极型晶体管（Si Bipolar Transistor）技术，适用于在108 MHz至500 MHz的频率范围内工作的通信设备和工业应用。该器件采用TO-220AB封装，具有良好的热稳定性和机械稳定性，适合在高功率射频放大场景中使用。
类型: RF Bipolar Transistor（射频双极型晶体管）
频率范围: 108 MHz - 500 MHz
最大集电极-发射极电压（Vceo）: 30 V
最大集电极电流（Ic）: 1.5 A
输出功率（Pout）: 10 W
增益（hFE）: 50 - 250（根据工作条件）
封装类型: TO-220AB
存储温度范围: -65°C 至 +150°C
工作温度范围: -65°C 至 +150°C
BZB784-C10,115 是一款专为射频功率放大设计的双极型晶体管，适用于108 MHz至500 MHz之间的通信和广播设备。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30 V，最大集电极电流为1.5 A，能够提供高达10 W的输出功率，使其适用于中等功率的射频放大应用。该器件的增益（hFE）范围为50至250，具体数值取决于工作电流和电压条件，这种灵活性使得该晶体管能够在不同的放大器设计中实现优化的性能。此外，该晶体管采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适合在较高温度环境下工作。其工作温度范围为-65°C至+150°C，适用于多种工业环境。BZB784-C10,115 还具有较高的可靠性和稳定性，适合用于广播发射器、工业测试设备以及业余无线电设备等应用领域。其封装形式也方便安装在散热器上，以提高散热效率，延长器件的使用寿命。由于其出色的射频性能和稳定性，该晶体管在各类射频放大电路中被广泛使用，尤其是在需要较高输出功率和稳定性的应用中。
BZB784-C10,115 射频晶体管主要应用于108 MHz至500 MHz频段的射频功率放大电路中。它常用于广播发射器、业余无线电设备、测试和测量仪器以及工业通信设备中的射频放大模块。此外，该晶体管也可用于无线基础设施设备中的中等功率放大器设计。
MRF158, BLF244, 2N3866
