BYW51G 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压、高频整流二极管,属于硅整流二极管系列。该器件具有较高的反向电压耐受能力和较大的正向电流能力,适用于多种高要求的电源整流场合。BYW51G 采用 DO-201AD 封装形式,适合在工业电源、开关电源、逆变器和整流电路中使用。该器件的设计使其能够在高温和高压环境下稳定运行,是许多电源系统中的关键组件。
类型:硅整流二极管
最大正向平均电流(IF(AV)):1.5A
峰值反向电压(VRM):1000V
正向压降(VF):1.1V(最大值,IF=1.5A)
反向漏电流(IR):5μA(最大值,VR=1000V)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:DO-201AD
BYW51G 的主要特性之一是其高反向电压耐受能力,能够承受高达 1000V 的反向电压,适用于高压整流应用。该器件的最大正向平均电流为 1.5A,可以在较宽的电流范围内稳定工作。
此外,BYW51G 的正向压降较低,最大值为 1.1V,在 1.5A 的正向电流下具有较低的导通损耗,有助于提高整体系统的效率。其反向漏电流非常低,最大值为 5μA,在高温和高压条件下仍能保持良好的性能。
该二极管的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 +175°C,适合在各种环境条件下使用,包括高温工业环境。BYW51G 采用 DO-201AD 封装,具有良好的机械强度和散热性能,便于安装和使用。
BYW51G 的设计确保了其在高频开关应用中的稳定性和可靠性,适用于开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器等高频电源系统。
BYW51G 广泛应用于需要高压整流和较高电流能力的电源系统中。其主要应用包括开关电源(SMPS)、工业电源、逆变器、整流器电路、电池充电器和DC-DC转换器。在这些应用中,BYW51G 可以有效地将交流电转换为直流电,并在高压条件下保持良好的效率和稳定性。
由于其高频特性和低正向压降,BYW51G 也适用于需要快速开关的电源拓扑结构,如Boost、Buck和Flyback转换器。在这些电路中,BYW51G 能够减少能量损耗,提高整体系统效率。
此外,BYW51G 还可用于家电、照明系统、电动工具和自动化控制系统中的电源部分,提供可靠的整流功能。在工业设备中,该器件可用于电机驱动器、变频器和不间断电源(UPS)系统,确保设备在高压和高温条件下的稳定运行。
BYV51X-1000R、BYT51G、BYT51E、1N4937G