型号：BYM36D
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：120A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：480A
　　导通电阻RDS(on)：典型值4.5mΩ（@VGS=10V），最大值5.5mΩ（@VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：约7000pF
　　输出电容Coss：约1900pF
　　反向恢复时间trr：约35ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

BYM36D采用了比亚迪自主研发的高性能沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下，其最大导通电阻仅为5.5mΩ，这使得在大电流应用中能够大幅减少功率损耗，提高系统的能源转换效率。同时，由于低RDS(on)带来的发热量减少，有助于简化散热设计，降低整体系统成本。器件的栅极电荷Qg较低，约为60nC（@VGS=10V），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有利于实现更高的开关频率而不会显著增加驱动电路的负担。此外，BYM36D具备优异的开关特性，其上升时间和下降时间均处于行业领先水平，可有效减少开关过程中的交越损耗，进一步提升电源系统的动态响应能力与稳定性。
　　该器件还具备出色的热性能，其结到外壳的热阻RθJC低至0.35℃/W，配合良好的PCB布局和散热设计，可在高功率密度场景下维持较低的工作温度。BYM36D的雪崩能量额定值较高，具备一定的非钳位感性开关（UIS）耐受能力，能够在负载突变或短路等异常工况下提供一定程度的自我保护。其栅氧层经过特殊强化处理，可承受±20V的栅源电压，提高了对误操作或噪声干扰的容忍度。此外，TO-252封装不仅支持表面贴装工艺，提升生产效率，而且引脚设计优化了电流路径，减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象。这些综合特性使BYM36D成为中低压大电流功率转换应用中的理想选择。

BYM36D广泛应用于各类中低电压大电流的电力电子系统中。在直流-直流（DC-DC）变换器中，如同步降压、升压或Buck-Boost拓扑结构中，BYM36D常被用作主开关管或同步整流管，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升了转换效率并降低了温升。在电动车辆和混合动力汽车的电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池组的充放电控制与均衡电路，确保电池工作的安全性和一致性。此外，在电机驱动领域，特别是在无刷直流电机（BLDC）和步进电机的H桥驱动电路中，BYM36D能够承受频繁的正反转和大启动电流，表现出良好的动态响应与可靠性。
　　在工业电源、服务器电源、通信电源等高密度开关电源（SMPS）中，BYM36D也常用于次级侧同步整流或初级侧开关电路，帮助实现高能效和小型化设计。在LED照明驱动电源中，尤其是在大功率恒流驱动方案中，该MOSFET可用于PWM调光控制或作为主开关元件，确保稳定的光输出和长寿命。此外，BYM36D还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆系统以及家用电器中的功率控制模块。得益于其高可靠性和宽工作温度范围，该器件也适用于户外设备和工业环境下的恶劣条件应用。

AOTF36D,AOZ6360CI