型号：BYD47-20
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：47A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：188A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（Max，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：3900pF（Typ，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：780pF（Typ，Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

BYD47-20具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件的Rds(on)最大值仅为28mΩ，在同类200V N沟道MOSFET中处于领先水平，能够显著降低导通损耗，提升系统整体效率。特别是在大电流工作条件下，低Rds(on)有助于减少发热，延长器件寿命并提高系统可靠性。该MOSFET采用优化的晶圆设计和封装技术，确保在高频率开关应用中仍能保持稳定的性能表现。其输入电容和输出电容经过精心匹配，有利于减小开关过程中的电压应力，降低电磁干扰（EMI），从而简化外围电路设计。
　　在热管理方面，BYD47-20的TO-220封装具备良好的热传导能力，可通过外接散热片有效将结温控制在安全范围内。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的工业环境和高温运行条件。此外，其栅极阈值电压范围合理，避免了误触发问题，同时兼容常见的驱动电路（如光耦驱动、专用MOSFET驱动IC），提高了系统的兼容性和设计灵活性。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力和耐压能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定工作，提升了系统的鲁棒性。其反向恢复时间较短（典型值45ns），适用于高频开关拓扑结构，如LLC谐振变换器、有源钳位反激等。综合来看，BYD47-20在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中高压功率转换应用中的理想选择。

BYD47-20广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效能、高可靠性的中高功率开关电源设计。在通信电源、服务器电源及工业电源模块中，该器件常用于主开关管或同步整流管，发挥其低导通损耗和高效率的优势。在LED恒流驱动电源中，BYD47-20可用于升压或降压拓扑结构中的功率开关，支持高亮度LED灯具的稳定运行。此外，在太阳能光伏逆变器系统中，该MOSFET可作为直流侧开关元件，参与能量转换过程，提高光电转换效率。
　　在电机驱动领域，BYD47-20可用于直流无刷电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和精确控制能力。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于家电（如空调、洗衣机）和电动工具中的电机控制模块。在电池管理系统（BMS）或储能系统中，该器件也可用于充放电回路的通断控制，保障系统的安全运行。
　　此外，BYD47-20还适用于各类DC-DC变换器，包括Buck、Boost和Flyback拓扑结构，特别在非隔离式降压电源中表现出色。由于其具备良好的抗干扰能力和长期工作稳定性，也被广泛用于工业自动化设备、医疗电源和智能电表等对可靠性要求较高的场合。随着国产化替代进程加快，BYD47-20已成为众多电源厂商在关键功率器件选型中的优选方案之一。

SPW47N20C
　　STP47N20F
　　FQP47N20
　　IRFUB20N47