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BY25D16ASSIG(R) 发布时间 时间:2025/7/11 22:40:39 查看 阅读:10

BY25D16ASSIG(R) 是一款高密度、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),采用先进的CMOS工艺制造。该芯片广泛应用于需要高速数据存取和临时数据存储的应用场景,例如通信设备、工业控制、医疗仪器以及消费类电子产品等。
  这款SRAM具备快速访问时间、低功耗特性和高度可靠性,非常适合对性能要求较高的系统设计。

参数

组织方式:512K x 16
  容量:8Mb
  访问时间:10ns
  Vcc电压范围:1.7V 至 1.9V
  待机电流:10μA(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TQFP-64

特性

BY25D16ASSIG(R) 具备以下主要特性:
  1. 快速访问时间:能够实现高达10ns的访问速度,确保系统在高频运行时保持高效。
  2. 低功耗设计:采用先进的工艺技术,大幅降低了动态和静态功耗,尤其适合对能效有严格要求的应用。
  3. 高可靠性:通过严格的测试流程,保证了其在恶劣环境下的稳定性和耐用性。
  4. 宽工作电压范围:支持1.7V至1.9V的供电电压,增强了与多种电源系统的兼容性。
  5. 高密度存储:提供512K x 16的存储结构,满足大容量数据缓存的需求。
  6. 多种工作模式:支持正常操作模式和低功耗模式切换,可根据实际需求优化性能与功耗平衡。
  7. 简化设计:内置上电复位和自动刷新功能,减少了外部电路复杂度,加快了开发进程。

应用

BY25D16ASSIG(R) 可应用于以下领域:
  1. 通信设备:如路由器、交换机等需要高性能数据缓冲的场合。
  2. 工业控制:用于实时数据采集与处理系统,确保高效的数据存储与传输。
  3. 医疗仪器:为超声波设备、CT扫描仪等提供快速存储解决方案。
  4. 消费类电子产品:如数码相机、游戏机等需要高带宽数据存储的设备。
  5. 嵌入式系统:作为处理器的外部缓存,提升整体系统性能。
  6. 测试与测量设备:用于高速数据记录和分析工具中,确保无延迟数据读写。

替代型号

CY62148EV30TI, IS61WV102416BLL-10BTR

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