型号：BX4169LT
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A（TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大功耗（PD）：1.5W（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@ VDS=15V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（表面贴装）
　　引脚数：8

BX4169LT具备出色的电气性能和热稳定性，其关键特性之一是低导通电阻，在VGS=-10V时典型值仅为45mΩ，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。该特性使其特别适用于电池供电设备中的负载开关或反向电流保护电路，能够有效延长电池使用寿命。同时，在VGS=-4.5V时仍能保持55mΩ的低RDS(on)，表明其在中等栅极驱动电压下依然具备良好性能，兼容主流3.3V微控制器输出电平，无需额外升压电路即可直接驱动。
　　该器件采用SOP-8封装，具有较大的散热焊盘设计，有利于热量从封装底部传导至PCB，提升整体散热能力，从而支持更高的持续工作电流。封装的小型化特性也满足现代电子产品对高密度布局的需求。此外，BX4169LT内置了栅极保护二极管，增强了对静电放电（ESD）的耐受能力，典型HBM ESD耐压可达±2000V，提升了器件在生产、运输和使用过程中的可靠性。
　　在开关特性方面，BX4169LT具有较低的输入电容（Ciss=520pF），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于加快开关速度并降低驱动电路的负担。其开关时间经过优化，可用于中高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或高端开关控制。此外，该MOSFET具有负温度系数的阈值电压，随着温度升高，阈值电压绝对值减小，有助于在高温环境下维持稳定的导通状态，避免因温度变化导致的误关断问题。
　　器件还具备良好的雪崩耐量和耐用性，能够在瞬态过压或短路情况下提供一定程度的自我保护。其宽泛的工作结温范围（最高达+150°C）确保了在严苛环境下的长期稳定运行。综合来看，BX4169LT凭借其低导通电阻、良好的热性能、高可靠性和易于驱动的特点，成为许多高端开关和电源管理应用的理想选择。

BX4169LT广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能和系统保护。在电池供电系统中，它常被用作反向电流阻断二极管的替代方案，相较于传统肖特基二极管，不仅能降低正向压降，还能减少发热，提高整体能效。
　　该器件也适用于DC-DC转换器电路，特别是在非隔离式Buck转换器中作为高端开关使用。由于其P沟道结构无需复杂的自举电路或驱动芯片，简化了电源设计，降低了系统成本和元件数量。在热插拔电路设计中，BX4169LT可用于控制电源接入时的浪涌电流，防止系统电压跌落或损坏后级电路。
　　此外，BX4169LT还可用于电机驱动、LED驱动电源、USB电源开关以及各类嵌入式控制系统中的电源切换模块。其SOP-8封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造。在工业控制、家用电器和物联网终端设备中，该器件也被用于实现远程唤醒、待机电源管理等功能，帮助系统实现低功耗运行模式。得益于其高可靠性和稳定性，BX4169LT同样适用于汽车电子外围模块（如车载信息娱乐系统）和通信基站的辅助电源管理单元。

Si3443DV-T1-GE3
　　AO3415
　　FDS6670A
　　NTR4101P