BX34XD_R1_000A1是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,在提高效率的同时也降低了能耗,具备良好的稳定性和可靠性。
这款功率MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性著称,能够显著减少能量损耗并提升系统整体性能。
型号:BX34XD_R1_000A1
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):34A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):75W
结温范围(Tj):-55°C to +175°C
封装形式:TO-220
BX34XD_R1_000A1具有非常低的导通电阻,可以有效降低传导损耗,特别是在高电流应用中表现优异。
其快速开关能力使得它非常适合高频开关电源设计,并且能够减少开关过程中的能量损失。
此外,该芯片还具备出色的热稳定性,在高温环境下依然能够保持可靠的性能。
内置的ESD保护功能提高了芯片的抗静电能力,从而增强了产品的耐用性。
该器件支持表面贴装和插件式封装,便于用户根据具体需求选择合适的安装方式。
BX34XD_R1_000A1广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
- 开关模式电源(SMPS)
- 直流-直流转换器(DC-DC Converter)
- 电机驱动和控制
- 汽车电子设备
- 工业自动化设备
- 太阳能逆变器
- 笔记本电脑适配器
由于其高效的能量转换能力和低损耗特点,该芯片在节能型电子产品中尤其受到青睐。
IRF3205
FDP077N06L
AON7542G