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BX34XD_R1_000A1 发布时间 时间:2025/5/8 12:24:48 查看 阅读:11

BX34XD_R1_000A1是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,在提高效率的同时也降低了能耗,具备良好的稳定性和可靠性。
  这款功率MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性著称,能够显著减少能量损耗并提升系统整体性能。

参数

型号:BX34XD_R1_000A1
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):34A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):75W
  结温范围(Tj):-55°C to +175°C
  封装形式:TO-220

特性

BX34XD_R1_000A1具有非常低的导通电阻,可以有效降低传导损耗,特别是在高电流应用中表现优异。
  其快速开关能力使得它非常适合高频开关电源设计,并且能够减少开关过程中的能量损失。
  此外,该芯片还具备出色的热稳定性,在高温环境下依然能够保持可靠的性能。
  内置的ESD保护功能提高了芯片的抗静电能力,从而增强了产品的耐用性。
  该器件支持表面贴装和插件式封装,便于用户根据具体需求选择合适的安装方式。

应用

BX34XD_R1_000A1广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 直流-直流转换器(DC-DC Converter)
  - 电机驱动和控制
  - 汽车电子设备
  - 工业自动化设备
  - 太阳能逆变器
  - 笔记本电脑适配器
  由于其高效的能量转换能力和低损耗特点,该芯片在节能型电子产品中尤其受到青睐。

替代型号

IRF3205
  FDP077N06L
  AON7542G