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BVSS84LT1G 发布时间 时间:2025/5/30 10:52:05 查看 阅读:6

BVSS84LT1G 是一款超高速肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用 SOD-323 封装形式。该器件具有低正向压降和快速开关特性,非常适合用于高频整流、逆向保护以及开关电源电路等应用。BVSS84LT1G 的设计使其在效率和可靠性方面表现优异,同时其紧凑的封装也便于小型化设计。

参数

最大正向电流(If):1A
  最大反向电压(Vr):40V
  典型正向电压(Vf):0.45V(@If=100mA)
  反向恢复时间(trr):小于4ns
  工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃
  热阻(RthJC):220°C/W

特性

BVSS84LT1G 提供了卓越的电气性能,包括低正向压降,可显著减少功率损耗,提高系统效率。
  此外,它的极短反向恢复时间确保了在高频应用中的高效运行,并且能够避免不必要的电磁干扰(EMI)。
  SOD-323 封装体积小巧,适合高密度 PCB 设计,同时具备良好的散热能力。
  由于其较高的反向耐压能力(40V),BVSS84LT1G 能够在更广泛的电压范围内稳定工作。

应用

BVSS84LT1G 广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
  主要用途包括:便携式设备中的电源管理、电池充电器的逆向保护、开关模式电源(SMPS)中的同步整流、电机驱动电路的自由轮保护、高频信号处理等。
  其出色的性能还适用于 USB 端口保护、音频设备电源滤波等多种场景。

替代型号

BVSS84L,BVSS84

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BVSS84LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C130mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 欧姆 @ 100mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds*
  • 功率 - 最大225mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)