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BVSS123LT1G 发布时间 时间:2025/5/23 20:43:35 查看 阅读:4

BVSS123LT1G是一款来自Diodes Incorporated的肖特基二极管,采用SOD-123FL封装形式。该器件以其低正向电压降和快速恢复时间著称,非常适合应用于高效能开关电源、DC-DC转换器以及便携式电子设备等场合。肖特基二极管因其独特的物理特性,在高频电路和低功耗设计中表现出色。

参数

最大正向电流:1A
  最大反向电压:40V
  正向电压:0.35V(典型值,If=100mA)
  反向漏电流:10uA(Vr=40V,Tj=25℃)
  结电容:4pF(最大值,Vr=0V,f=1MHz)
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

BVSS123LT1G具有较低的正向电压降,可有效减少功率损耗,提升整体效率。
  其快速恢复时间确保了在高频应用中的卓越性能表现。
  同时,该器件具备较高的浪涌能力,能够承受瞬态大电流冲击。
  此外,SOD-123FL封装提供紧凑的外形尺寸和良好的热性能,使其非常适合空间受限的设计。

应用

该二极管广泛用于消费类电子产品、计算机外设和工业控制领域。
  典型应用场景包括:
  - 开关电源中的续流二极管
  - 便携式设备中的保护二极管
  - 高频整流电路
  - 极性保护电路
  - 太阳能电池板旁路二极管

替代型号

MSS123LT1G, RB40TQ120SLT

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BVSS123LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C170mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 100mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)*
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds20pF @ 25V
  • 功率 - 最大225mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)