类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：90V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半波）
　　最大正向压降（VF）：850mV @ 1A（典型值），1000mV @ 1A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 90V，25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约150°C/W（取决于PCB布局）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BV1HD090FJ-CE2的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结而非传统的PN结构实现整流功能，从而显著降低了导通时的正向电压降。在1A的工作电流下，其正向压降仅为850mV左右，远低于普通硅二极管的0.7V以上，这意味着更少的能量以热量形式损耗，提高了整体电源效率。对于电池供电设备或对能效要求较高的应用来说，这一特性至关重要。
　　该器件具备出色的动态响应能力，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计。这一特点使其非常适合用于高频开关电源、同步整流辅助电路以及需要快速切换的场合。即使在高达数十kHz甚至更高的开关频率下，也能保持稳定的性能表现，避免因反向恢复引起的额外功耗和电磁干扰问题。
　　从可靠性角度看，BV1HD090FJ-CE2的设计满足工业级环境要求，能够在-65°C至+125°C的结温范围内稳定运行，适应各种严苛的应用条件。其SMA封装具有良好的散热性能和机械强度，配合适当的PCB铜箔设计可有效传导热量，提升长期使用的稳定性。此外，该产品符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，符合现代绿色电子产品的环保标准。
　　Vishay作为全球知名的分立半导体制造商，确保了该器件在批次一致性、良品率和长期供货方面具有保障。其生产过程遵循严格的品质管理体系，经过多项可靠性测试验证，包括高温反偏试验（HTRB）、温度循环测试（TCT）和恒定加速度测试等，确保在实际应用中的高可靠性与长寿命。

BV1HD090FJ-CE2广泛应用于多种电源相关电路中。在AC-DC和DC-DC开关电源中，它常被用作次级侧整流二极管，特别是在低压大电流输出场景下，其低正向压降有助于提高转换效率并减少散热需求。在反激式、正激式或降压型（Buck）拓扑结构中，该器件可作为续流二极管使用，在开关管关断期间为电感电流提供通路，防止电压尖峰损坏主控芯片。
　　在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其充电器中，该二极管可用于电源路径管理、电池充放电保护以及防止反向连接造成的损坏。由于其小型化SMA封装，非常适合空间受限的设计，同时支持自动化贴片工艺，有利于提高生产效率和降低成本。
　　此外，该器件也常见于工业控制设备、LED驱动电源、电信设备和消费类电子产品中的电压钳位、瞬态抑制和极性保护电路。例如，在USB接口或外部电源输入端口处加入此类二极管，可有效防止用户误接电源极性而导致主板损坏。在太阳能充电控制器、电机驱动板等新能源与功率控制系统中，其快速响应和高效整流能力也得到了广泛应用。

1N5819WS-13-F
　　MBR1100
　　SK190