BUZ63B 时间：2025/9/7 7:56:32 阅读：7

BUZ63B是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关和电源管理领域。该器件采用先进的平面技术制造，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。BUZ63B通常用于DC-DC转换器、电机控制、电池充电器和工业电源等应用场景。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：8A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.4Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

BUZ63B具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻确保在高电流下仍能保持较小的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的击穿电压，能够在高压环境中稳定工作，适用于多种电源管理应用。此外，BUZ63B的栅极驱动设计优化，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
　　在可靠性方面，BUZ63B具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下长时间运行。其TO-220封装有助于快速散热，延长器件使用寿命。此外，该MOSFET的封装设计使其易于安装在散热片上，进一步提高散热效果。
　　在应用方面，BUZ63B适用于多种电力电子系统。例如，在DC-DC转换器中，它可以作为主开关器件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，BUZ63B可以提供稳定的电流控制，确保电机运行的平稳性。此外，该器件还广泛用于电池充电器和工业电源，满足不同功率等级的需求。