BUZ53是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于中高功率的开关电源、电机控制和照明设备等应用中。该器件采用TO-220封装,具有较低的导通电阻和良好的热性能,适用于各种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
最大功耗(Ptot):60W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
BUZ53具有优异的开关性能和导通特性,使其在功率转换应用中表现出色。其低导通电阻(Rds(on))为1.2Ω,可有效减少功率损耗并提高效率。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。
该器件采用TO-220封装形式,具有良好的散热能力和机械强度,适用于多种电路设计。BUZ53的栅极阈值电压范围为2V至4V,适合多种驱动电路的匹配。其最大漏源电压为500V,最大漏极电流为4A,适用于多种中高功率应用场景。
在可靠性方面,BUZ53具备较高的抗静电能力和过热保护性能,能够在恶劣环境下稳定工作。其封装设计也便于安装和散热管理,适合工业自动化、电源适配器、电机驱动等应用需求。
BUZ53广泛应用于开关电源、LED照明驱动电路、电机控制模块、家电电源管理以及工业自动化设备等领域。在开关电源中,BUZ53作为主开关元件,能够高效地进行功率转换;在LED照明驱动电路中,该MOSFET可提供稳定的电流控制,确保照明设备的高效运行;在电机控制模块中,BUZ53可用于控制电机的启停和速度调节,提供可靠的功率输出。
此外,该器件还适用于电源适配器、不间断电源(UPS)、变频器以及各种中高功率电子设备的功率开关应用。由于其优异的导通性能和良好的热管理能力,BUZ53在多种电子系统中都具有重要的作用。
IRF740, STP4NK50Z, 2SK2225