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BUZ45B 发布时间 时间:2025/9/7 13:40:28 查看 阅读:29

BUZ45B是一款常用的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源开关、DC-DC转换器、电机控制以及其他高功率电子电路中。这款器件采用了先进的制造工艺,具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性。BUZ45B的封装形式通常为TO-220,便于安装和散热。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):40A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.028Ω
  最大功耗(PD):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

BUZ45B具有多项优异的电气和热性能特性,使其在多种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件具备较高的最大漏极电流能力(40A),适用于高功率负载的控制。此外,BUZ45B的漏源电压额定值为60V,能够适应多种中低压电源系统的需求。
  在热性能方面,BUZ45B采用TO-220封装,具备良好的散热能力,确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。其最大功耗为125W,能够在高温环境下运行。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,典型工作电压为10V,兼容多种驱动电路设计。
  在可靠性方面,BUZ45B具有较强的抗过载和短路能力,适用于工业控制、电源管理以及电动工具等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

BUZ45B由于其高耐压、低导通电阻和大电流承载能力,被广泛应用于各种电力电子系统。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、LED驱动电路以及各类工业自动化控制设备。此外,它也可用于汽车电子系统中的高功率控制模块,例如电动窗控制、车灯调光和车载充电器等。
  在电源管理领域,BUZ45B常用于高效同步整流器的设计,以提升整体能效。在电机控制中,它作为功率开关元件,用于调节电机转速和方向。同时,该MOSFET也适用于高功率LED照明系统,用于实现PWM调光控制。

替代型号

IRFZ44N, FDP44N25, STP40NF06

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