BUZ45B 时间：2025/9/7 13:40:28 阅读：39

BUZ45B是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源开关、DC-DC转换器、电机控制以及其他高功率电子电路中。这款器件采用了先进的制造工艺，具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性。BUZ45B的封装形式通常为TO-220，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：40A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.028Ω
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

BUZ45B具有多项优异的电气和热性能特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的最大漏极电流能力（40A），适用于高功率负载的控制。此外，BUZ45B的漏源电压额定值为60V，能够适应多种中低压电源系统的需求。
　　在热性能方面，BUZ45B采用TO-220封装，具备良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。其最大功耗为125W，能够在高温环境下运行。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，典型工作电压为10V，兼容多种驱动电路设计。
　　在可靠性方面，BUZ45B具有较强的抗过载和短路能力，适用于工业控制、电源管理以及电动工具等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

BUZ45B由于其高耐压、低导通电阻和大电流承载能力，被广泛应用于各种电力电子系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、LED驱动电路以及各类工业自动化控制设备。此外，它也可用于汽车电子系统中的高功率控制模块，例如电动窗控制、车灯调光和车载充电器等。
　　在电源管理领域，BUZ45B常用于高效同步整流器的设计，以提升整体能效。在电机控制中，它作为功率开关元件，用于调节电机转速和方向。同时，该MOSFET也适用于高功率LED照明系统，用于实现PWM调光控制。