时间：2025/9/7 12:13:41
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BUZ43是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高功率开关性能的电路中。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和较高的耐用性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高电流和高电压处理能力的场合。BUZ43具有较低的导通电阻、较高的击穿电压以及快速的开关特性，使其成为工业控制和汽车电子中常见的功率器件之一。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
耗散功率(Ptot)：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
BUZ43具有多项显著的技术特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，其最大漏源电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换场合。其次，最大漏极电流可达25A，使其能够驱动较大的负载。该器件的导通电阻仅为0.15Ω，在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，BUZ43具备较高的栅源电压耐受能力（±30V），增强了其在不同控制电路中的兼容性。
在热性能方面，BUZ43采用TO-220封装，具有良好的散热能力，能够在较高功率下稳定工作。其耗散功率达到125W，适合连续高负载工作环境。器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应多种极端环境条件，适用于工业自动化、汽车电子和电源管理系统。
BUZ43还具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小外围电路的体积并提升整体系统的响应速度。由于其MOSFET结构的特性，该器件具有电压驱动型输入，栅极驱动电流较小，便于与各种控制电路（如PWM控制器或微处理器）配合使用。
BUZ43广泛应用于多种功率电子系统中。在电源领域，常用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器和DC-DC转换器中作为主开关元件，以实现高效的能量转换。其高耐压和大电流能力使其在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中也具有良好的应用表现。
在工业控制方面，BUZ43可用于电机驱动和继电器替代电路，提供快速、可靠的开关控制。其低导通电阻和高效率特性有助于降低系统能耗，提高设备运行稳定性。
此外，BUZ43还可用于汽车电子系统，如电动助力转向、车载充电器以及LED照明驱动电路中。其优异的热性能和宽工作温度范围确保在复杂环境条件下依然保持稳定工作状态。
在消费电子领域，BUZ43可用于高性能电源管理和电池充电系统，支持高功率设备的安全运行。
BUZ41, IRFBC30, IRFP450, FDPF4N50
