时间：2025/9/7 9:57:35
阅读：12
BUZ33是一款由英飞凌（Infineon）公司推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率控制应用中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：9A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.55Ω（最大值）
最大功耗(Pd)：75W
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
BUZ33的主要特性包括其高耐压能力和低导通电阻，使其在高功率应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了优良的导通性能和开关特性。此外，BUZ33具有良好的热稳定性，可以在高温度环境下稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动特性也非常出色，能够快速开关，减少开关损耗。它的封装形式为TO-220，便于散热，并且容易集成到PCB设计中。由于其高可靠性和稳定性，BUZ33适用于各种苛刻环境下的电源转换器、电机控制、照明系统以及开关电源设计。
此外，BUZ33还具备较强的抗过载能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，提高了系统的鲁棒性。
BUZ33常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、照明设备（如HID灯镇流器）、工业自动化设备、电机驱动以及各种高功率电子控制系统。由于其高效率和高可靠性，它在工业和消费类电子产品中都有广泛的应用。
BUZ34, BUZ35, IRFBC40, IRFBC30
