时间：2025/12/29 14:19:52
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BUZ11_NR4941 是一款由 Infineon Technologies 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。这款 MOSFET 设计用于高效率、高频率的开关应用，具备低导通电阻和高电流承载能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：50V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：70A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUZ11_NR4941 具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这使得它在导通状态下能够保持较低的功耗，从而提高整体效率。
此外，该器件具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作，适合用于高功率密度设计。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于各种电源转换器、DC-DC 转换器以及电机控制应用。
其封装形式为 TO-220，便于散热和安装，适合工业级应用的需求。
BUZ11_NR4941 主要用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电源逆变器以及工业自动化设备中的功率开关应用。
由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统、UPS（不间断电源）以及电池管理系统中。
在太阳能逆变器、电源管理模块和高性能电源适配器中，BUZ11_NR4941 也是一个常见的选择。
IRFZ44N, FDP6030L, STP75NF75, IXTH75N10L2
