BUZ11A 时间：2025/7/23 1:32:58 阅读：3

BUZ11A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率开关的电路中。该器件由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产，具有低导通电阻、高电流承受能力和高开关速度的特点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器和负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（Id）：50A（最大）
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：55V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω（最大，Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：60nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1200pF（典型值）

特性

BUZ11A具有多项优异的电气和热性能，使其在功率电子设计中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下导通损耗最小，从而提高整体效率。该器件的高电流承载能力（Id为50A）使其能够应对高功率负载应用。此外，BUZ11A具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和电源管理模块。在热管理方面，该MOSFET的封装设计（TO-220）提供了良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。其栅极驱动要求较低，标准Vgs为10V即可实现完全导通，便于与标准驱动电路兼容。此外，BUZ11A还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供更高的可靠性。综合来看，BUZ11A是一款适用于多种功率控制场景的高性能MOSFET。

应用

BUZ11A广泛应用于各种电力电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和控制的场景。例如，它常用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，以实现高效率和高功率密度。在DC-DC转换器中，BUZ11A可作为高侧或低侧开关，适用于电池供电系统、服务器电源和工业电源。此外，该MOSFET也广泛用于电机控制电路，如直流电机驱动器和步进电机控制器，以实现精确的速度和转矩控制。在汽车电子领域，BUZ11A可用于车载逆变器、电动助力转向系统和车灯控制系统。由于其高可靠性和抗冲击能力，BUZ11A也适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用。