BUX12 时间：2025/7/22 8:30:23 阅读：9

BUX12是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高电流和高电压开关能力的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于各种工业和消费类应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：57A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.036Ω
　　最大功率耗散（Ptot）：180W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

BUX12 MOSFET具备多项优异的电气特性，包括低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，这使其在高频应用中表现尤为出色。其低导通电阻有助于降低功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的高电流容量和良好的热管理能力，使其能够在严苛的环境中稳定运行。
　　这款MOSFET采用先进的制造工艺，确保了其在高电压和高电流条件下的可靠性和耐用性。其封装设计（TO-247）不仅提供了良好的散热性能，还便于在电路板上的安装和连接。
　　BUX12的栅极驱动特性也非常友好，允许使用标准的逻辑电平进行控制，从而简化了与微控制器或其他数字电路的集成。这种特性在开关电源、电机驱动和负载开关等应用中尤为重要。
　　此外，BUX12还具有较强的抗静电能力，能够承受较高的静电放电（ESD）电压，从而在操作和存储过程中提供额外的保护。

应用

BUX12 MOSFET常用于需要高功率开关能力的各类电子设备中。主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关和工业自动化设备。由于其高电流容量和低导通电阻，BUX12非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。
　　在汽车电子领域，BUX12可用于电动车辆的电池管理系统、车载充电器和照明控制系统。此外，它还可用于太阳能逆变器和储能系统，以实现高效的能量转换和管理。
　　在消费电子产品中，BUX12可用于高功率LED照明、家用电器的电机控制以及智能电源插座等应用。其高开关速度和低损耗特性，使其成为现代节能设备的理想选择。