类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7.5A
　　功耗（Ptot）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（典型值）
　　输入电容（Ciss）：约1000pF
　　开关时间：导通延迟时间约15ns，关断延迟时间约35ns

BUX10S具备优异的热稳定性和高耐用性，适用于严苛的工作环境。其高漏源电压能力（100V）使其适用于中高功率的电源系统。该器件的低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，BUX10S的封装形式（TO-220）提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下保持稳定。该MOSFET的栅极驱动要求较低，可与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂性。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频应用，从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。
　　在可靠性方面，BUX10S具备过热和过流保护特性，能够承受一定的瞬态过载而不损坏。这使得它在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中表现出色。由于其坚固的设计和优异的电气性能，BUX10S在长时间运行中表现出色，是许多高可靠性应用的理想选择。

BUX10S广泛应用于各种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器、LED照明控制系统以及工业自动化设备。此外，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。在消费类电子产品中，该器件可用于高性能电源适配器和节能照明设备。

BUZ11, IRFZ44N, STP75NF75