BUW50 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于高电流和高功率的场合,如电源管理、电机控制和负载开关。这款器件采用 TO-220 封装,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能。
类型:N 沟道
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):0.35Ω
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V 至 4V
封装类型:TO-220
BUW50 具备多项优良特性,使其适用于高功率应用。其低导通电阻(Rds(on))确保在导通状态下功率损耗最小,提高系统效率。该器件的高耐压能力(最大漏源电压为 500V)使其适用于高压直流和交流电源系统。
此外,BUW50 的最大漏极电流为 18A,适合高电流负载的应用,如电动工具、工业电机和开关电源。TO-220 封装提供了良好的散热性能,使器件在高功率工作条件下保持稳定。
该 MOSFET 还具有较高的热稳定性,可在极端温度环境下可靠运行。栅极阈值电压较低(2V 至 4V),使其易于与常见的逻辑电路(如微控制器)直接驱动,减少外围电路的复杂性。
整体来看,BUW50 是一款性能稳定、适用范围广泛的功率 MOSFET,适用于多种高功率开关控制场景。
BUW50 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、直流电机控制、电动工具、工业自动化设备、照明系统(如 HID 灯)以及电池充电器等。此外,该器件还可用于逆变器、负载开关和功率放大器等电路中,提供高效的功率控制功能。
IRF840, FDPF840, STW12NK50Z, BUW51