时间：2025/7/23 5:17:43
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BUW50 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于高电流和高功率的场合，如电源管理、电机控制和负载开关。这款器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能。
类型：N 沟道
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
封装类型：TO-220
BUW50 具备多项优良特性，使其适用于高功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下功率损耗最小，提高系统效率。该器件的高耐压能力（最大漏源电压为 500V）使其适用于高压直流和交流电源系统。
此外，BUW50 的最大漏极电流为 18A，适合高电流负载的应用，如电动工具、工业电机和开关电源。TO-220 封装提供了良好的散热性能，使器件在高功率工作条件下保持稳定。
该 MOSFET 还具有较高的热稳定性，可在极端温度环境下可靠运行。栅极阈值电压较低（2V 至 4V），使其易于与常见的逻辑电路（如微控制器）直接驱动，减少外围电路的复杂性。
整体来看，BUW50 是一款性能稳定、适用范围广泛的功率 MOSFET，适用于多种高功率开关控制场景。
BUW50 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、直流电机控制、电动工具、工业自动化设备、照明系统（如 HID 灯）以及电池充电器等。此外，该器件还可用于逆变器、负载开关和功率放大器等电路中，提供高效的功率控制功能。
IRF840, FDPF840, STW12NK50Z, BUW51
