BUW49 时间：2025/7/23 11:29:07 阅读：7

BUW49是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高速开关的应用中。这款器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。BUW49通常用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及各种工业自动化设备中。该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高效率的电子设计。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω
　　栅极电荷(Qg)：22nC
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

BUW49具备多项优秀特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流工作条件下，器件的功率损耗最小化，从而提高了系统的整体效率。其次，BUW49的高开关速度使其非常适合用于高频开关应用，如开关电源和逆变器。此外，该器件的热稳定性良好，即使在高温环境下也能保持稳定的性能，从而延长了使用寿命并提高了系统的可靠性。
　　另外，BUW49采用了TO-220封装，具备良好的散热能力，适合高功率密度的设计需求。其栅极电荷(Qg)较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于需要快速响应的应用场景。该器件的最大漏极电流为8A，在500V的漏源电压下仍能保持稳定工作，适用于中高功率应用场合。
　　BUW49的可靠性和耐用性也得到了广泛认可。它具备良好的抗过载和短路保护能力，能够在恶劣的电气环境中稳定运行。此外，该器件的制造工艺先进，确保了产品的质量和一致性，满足工业级应用对稳定性和性能的严格要求。