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BUV20 发布时间 时间:2025/7/23 15:42:05 查看 阅读:7

BUV20是一款NPN型双极性晶体管(BJT),广泛用于高频和低噪声放大应用。该晶体管专为射频(RF)和中频(IF)放大器设计,具有良好的线性度和低噪声系数。BUV20采用TO-92或SOT-23等封装形式,适用于消费类电子产品、无线通信设备以及工业控制系统中的信号放大。

参数

类型:NPN型晶体管
  最大集电极-发射极电压(Vceo):30V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功耗(Ptot):300mW
  最大工作频率(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据工作电流不同)
  噪声系数(NF):0.8dB(典型值)
  封装形式:TO-92、SOT-23

特性

BUV20晶体管具备低噪声特性,非常适合用于前置放大器和信号链中的低噪声级设计。其高截止频率(fT为100MHz)使其适用于高频放大应用。该晶体管的电流增益范围宽广,可以根据不同工作电流选择合适的增益等级,提供良好的设计灵活性。此外,BUV20的封装形式小巧,便于在空间受限的PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
  BUV20在射频电路中表现出色,常用于FM接收器、无线通信模块和测试设备中的信号放大。其良好的线性度也有助于减少信号失真,提高整体系统性能。由于其低噪声和高频率响应特性,BUV20在设计低噪声放大器(LNA)时是一个优选器件。

应用

BUV20主要应用于射频和音频放大电路中,例如在FM接收器、无线遥控器、对讲机、无线传感器网络和音频前置放大器中作为低噪声放大器使用。它也常用于中频放大器、电压调节器以及需要低噪声和高频响应的电子系统中。

替代型号

BC547, 2N3904, BF199

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BUV20参数

  • 其它有关文件BUV20 View All Specifications
  • 标准包装20
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)125V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.2V @ 5A,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大)3mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 25A,2V
  • 功率 - 最大250W
  • 频率 - 转换8MHz
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-204AA,TO-3
  • 供应商设备封装TO-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-7214-5BUV20-ND