BUT32V是一款广泛应用于电源管理和功率控制领域的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性的特点,适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电源管理系统等多种场景。BUT32V封装形式通常为TO-220或DPAK(SMD版本),能够承受较高的工作电压和电流,并具备良好的热稳定性和散热性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A(Tc=25℃)
脉冲漏极电流(Idm):48A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.045Ω
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-220、DPAK
BUT32V具有多个显著的性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低在导通状态下的功率损耗,提高系统效率,特别适合高电流应用。其次,该MOSFET具备高耐压能力,漏源电压最大可达60V,使其适用于中高功率电源系统。此外,BUT32V的栅极驱动电压范围宽(±20V),具备良好的抗干扰能力和稳定性。
在热管理方面,BUT32V设计有良好的散热结构,能够在高负载条件下保持稳定运行,同时其工作温度范围广(-55℃至175℃),适应各种严苛环境下的使用需求。另外,该器件的开关速度快,有助于提升电源转换效率并减小外围电路的尺寸,适用于高频开关应用。
从封装角度来看,BUT32V提供TO-220和DPAK两种版本,前者适用于通孔焊接,后者则便于表面贴装,满足不同PCB布局和制造工艺的需求。
BUT32V广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。在DC-DC转换器中,该器件可作为主开关元件,用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效能的电压调节。在负载开关应用中,BUT32V能够快速控制电源输出,实现对负载的精准供电与切断。此外,它也常用于马达控制电路,作为H桥中的开关器件,实现正反转、制动等功能。
在电源管理系统中,BUT32V可用于电池供电设备的充放电管理,以及多路电源切换控制。其高可靠性和热稳定性也使其适用于工业控制设备、电源适配器、UPS不间断电源、LED驱动电源等场合。同时,由于其良好的高频特性,也适合用于开关电源(SMPS)中的主开关元件。
IRFZ44N, FDP6030L, FQP30N06L, STP60NF06, IPD60N06S4-03